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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管，?搭建單管共射反向放大器，?放大器的增益與多個(gè)因素有關(guān)系，也和輸入阻抗成反比。如何來(lái)測(cè)量單管運(yùn)放的輸入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通過(guò)仿真進(jìn)行測(cè)量。
2024-10-27
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測(cè)試四個(gè)光電檢測(cè)速度
前天，在面包板上測(cè)試了兩個(gè)光電檢測(cè)管并聯(lián)在一起的響應(yīng)速度。利用了PNP三極管隔離光電管傳感器，經(jīng)過(guò)測(cè)試，光電管響應(yīng)速度明顯提高了。今天，通過(guò)快速制版，對(duì)這個(gè)方案進(jìn)行最后的測(cè)試。
2023-10-27
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三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？
2023-05-29
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？
2023-05-23
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干簧管開(kāi)關(guān)與干簧管繼電器
干簧管相比于阻容感以及二三極管來(lái)說(shuō)屬于小眾產(chǎn)品，沒(méi)有接觸或應(yīng)用到的對(duì)于其名字都很陌生，但是其年銷(xiāo)售以億為單位的銷(xiāo)售數(shù)量又體現(xiàn)其所在應(yīng)用領(lǐng)域的普遍性。
2023-05-15
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幾種三極管恒流源
用穩(wěn)壓管穩(wěn)定三極管基極的電壓，此電壓經(jīng)過(guò)發(fā)射結(jié)鉗位之后降低0.7V，此時(shí)發(fā)射極電壓也是穩(wěn)定的，發(fā)射極電壓除以發(fā)射極電阻就得到恒定電流。如圖，在紅點(diǎn)處接負(fù)載，負(fù)載電流恒定為5mA。
2023-05-08
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三極管和MOS管下拉電阻的作用
三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢？舉例說(shuō)明。如下圖，是溫度開(kāi)關(guān)控制馬達(dá)電路圖。
2022-12-29
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2個(gè)NPN三極管組成的恒流電路，如何工作？
根據(jù)T2三極管Vbe鉗位，知道了T1發(fā)射極電壓，得出Ie的電流，Ic等于Ie，Ic有了，集電極電壓有了，可以算出Vce是合理的，即假設(shè)成立，T1工作在發(fā)放大區(qū)。
2022-11-16
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開(kāi)關(guān)電源：關(guān)于TL431電路的電阻取值
據(jù)我們了解，這里面一些電阻是跟環(huán)路相關(guān)的。不過(guò)在設(shè)計(jì)的時(shí)候，我們首先需要保證的不是環(huán)路，而是這個(gè)電路能不能工作起來(lái)，也就是說(shuō)要給TL431合適的偏置。這個(gè)應(yīng)該很容易理解吧，類似三極管放大，前提也是要給對(duì)直流偏置。
2022-11-14
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由運(yùn)放和電壓調(diào)節(jié)器構(gòu)成的恒流源電路
傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測(cè)量微小電阻一般也要用到恒流源。恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負(fù)載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源，包括運(yùn)放、穩(wěn)壓芯片、三極管、MOS管等。下面以運(yùn)放和電壓調(diào)節(jié)器為例來(lái)構(gòu)成恒流源。
2022-10-10
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測(cè)量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2022-06-21
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如何利用揚(yáng)聲器構(gòu)建深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)？
來(lái)自于康納爾大學(xué)的這篇研究論文給出了 一個(gè)利用物理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)深層網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)和推理的框架。本文對(duì)于文章舉例的三個(gè)系統(tǒng)不屬于線性時(shí)不變系統(tǒng)進(jìn)行分析。除了其中SHG系統(tǒng)比較復(fù)雜之外，其它兩個(gè)系統(tǒng)（三極管、揚(yáng)聲器）是如此的簡(jiǎn)便，吸引人去進(jìn)行搭建系統(tǒng)，測(cè)試一下相應(yīng)的性能性能。對(duì)于參加智能車(chē)競(jìng)賽的同學(xué)來(lái)講，也許將來(lái)不再需要借助于復(fù)雜高性能單片機(jī)來(lái)完成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理，只利用幾只三極管便可完成。
2022-05-06
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