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AP2101/AP2111：Diodes推出為USB應(yīng)用優(yōu)化的高電流電源開(kāi)關(guān)
Diodes針對(duì)高電流應(yīng)用推出兩款新器件以擴(kuò)展旗下AP21XX電源開(kāi)關(guān)產(chǎn)品線。最新的單通道AP2101及AP2111可提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流，且經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適合自我供電和總線供電USB，以及其他3-5V的熱插拔應(yīng)用。
2009-12-18
AP2101 AP2111 Diodes USB 電流電源開(kāi)關(guān)
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東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會(huì)影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開(kāi)發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項(xiàng)目 硅
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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2010年LED產(chǎn)業(yè)展望
LED業(yè)者一致認(rèn)為，LED最終應(yīng)用將面向廣大的照明市場(chǎng)。2009年LED TV滲透率將從2008年0.3%，提升至2009年的2.8%。預(yù)估2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上漲21.6%，2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上降21.6%。而到了2012年，當(dāng)LED 發(fā)光效率達(dá)130 lm/W，且LED成本每千流明為5美元時(shí)，LED照明將更大量被采用。
2009-12-18
LED 照明 TV NB
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2010年LED產(chǎn)業(yè)展望
LED業(yè)者一致認(rèn)為，LED最終應(yīng)用將面向廣大的照明市場(chǎng)。2009年LED TV滲透率將從2008年0.3%，提升至2009年的2.8%。預(yù)估2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上漲21.6%，2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上降21.6%。而到了2012年，當(dāng)LED 發(fā)光效率達(dá)130 lm/W，且LED成本每千流明為5美元時(shí)，LED照明將更大量被采用。
2009-12-18
LED 照明 TV NB
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2010年LED產(chǎn)業(yè)展望
LED業(yè)者一致認(rèn)為，LED最終應(yīng)用將面向廣大的照明市場(chǎng)。2009年LED TV滲透率將從2008年0.3%，提升至2009年的2.8%。預(yù)估2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上漲21.6%，2011年LED 監(jiān)視器滲透率將上降21.6%。而到了2012年，當(dāng)LED 發(fā)光效率達(dá)130 lm/W，且LED成本每千流明為5美元時(shí)，LED照明將更大量被采用。
2009-12-18
LED 照明 TV NB
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Gartner預(yù)測(cè)明年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將強(qiáng)勁反彈
市場(chǎng)研究公司Gartner預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)明年將會(huì)強(qiáng)勁反彈，全球半導(dǎo)體設(shè)備支出明年將增長(zhǎng)45.3%，達(dá)367億美元。而SEMI更預(yù)計(jì)，2010年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將增長(zhǎng)53%，2011年該市場(chǎng)將會(huì)再增長(zhǎng)28%。
2009-12-18
半導(dǎo)體設(shè)備 晶圓 內(nèi)存
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