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攻克28G PAM4抖動難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時鐘架構
在400G/800G光模塊的56Gbaud PAM4調制系統中，時鐘抖動每增加0.1ps RMS，誤碼率將飆升300%。傳統單端CMOS時鐘源因共模噪聲干擾，難以滿足高速SerDes對相位穩定性的嚴苛需求。差分輸出VCXO（壓控晶體振蕩器）通過對稱差分信號（LVDS/HCSL） 實現共模噪聲抑制，結合±50ppm頻率微調能力，將相位抖動壓...
2025-06-27
差分輸出VCXO 低抖動時鐘源 光通信時鐘同步 相位噪聲優化 SerDes時鐘解決方案 LVDS振蕩器
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一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并聯技術 固態斷路器解決方案 大電流SiC JFET Combo JFET結構
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控制回路的穩定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當的控制回路可能導致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應能力。為了確保電源的穩定性和高效性，控制回路的仿真分析至關重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開關穩壓器 電源穩定性優化 相位裕度 增益帶寬
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測量、高分辨率數據采集等尖端領域，毫伏級的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數轉換器（ADC）的有效位數（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設計 射頻電源解決方案 μV級電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補償的功率分級指南
在CCM反激式轉換器設計中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護和相對簡化的環路補償而備受青睞。然而，當占空比超過50%時，系統會出現固有的次諧波振蕩不穩定性問題。斜坡補償技術正是攻克這一難題的核心手段，其設計策略需隨功率等級...
2025-06-23
CCM反激 斜坡補償 反激轉換器 次諧波振蕩 斜坡補償設計
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高精度低噪聲 or 大功率強驅動？儀表放大器與功率放大器選型指南
在現代電子系統的精密舞臺上，兩類關鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設計哲學、核心任務與應用疆域存在本質差異。理解這種差異，是工程師為系統挑選“最佳配角”的關鍵。
2025-06-20
儀表放大器 功率放大器 高精度放大器 功率驅動電路
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戰略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關鍵決議全票通過
意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應用領域領導者，此次決議將為公司戰略布局注入新動能。
2025-06-20
意法半導體 股東大會
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μV級精度保衛戰：信號鏈電源噪聲抑制架構全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫療儀器及工業傳感系統中，信號鏈的μV級精度直接決定系統性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態吞噬ADC/DAC的有效位數——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構選型便成為精度保衛戰的核心戰場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質出發，拆解LDO、開關電源及混合架構的噪聲基因...
2025-06-19
電源噪聲 ADC精度 PSRR優化 信號鏈噪聲抑制 LDO選型 開關電源濾波
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從單管到并聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
SiC MOSFET并聯 高功率設計 分立器件優勢 功率擴展 熱管理設計 并聯可靠性
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