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集成化與智能化：國產(chǎn)有刷電機驅(qū)動芯片的技術(shù)躍遷與應用突圍
在電動工具、汽車電子、智能家居等小功率場景中，有刷直流電機憑借結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、控制便捷等優(yōu)勢，仍占據(jù)超60%市場份額。而驅(qū)動芯片作為其“神經(jīng)中樞”，正經(jīng)歷從分立器件堆疊向高集成智能控制的轉(zhuǎn)型。本文將深入剖析有刷電機驅(qū)動芯片的核心架構(gòu)、國產(chǎn)方案的技術(shù)突破，以及多場景設計策略，為工程師提供選型與設計的實戰(zhàn)指南。
2025-07-11
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
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觀眾登記開啟｜elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來見，20+重磅活動與數(shù)千新品引爆AI+技術(shù)生態(tài)
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會展中心（福田）開幕。展會為電子產(chǎn)業(yè)復蘇以及AI時代到來準備好了全棧技術(shù)和產(chǎn)品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲、智能傳感、RISC-V技術(shù)與生態(tài)、AIoT方案、無源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進封裝等。
2024-07-18
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低損耗、高結(jié)溫！基本半導體混合碳化硅分立器件性能優(yōu)勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管（FWD）構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡稱為混管）的特性與優(yōu)點。
2023-10-24
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高功率應用的可擴展性設計
相較于傳統(tǒng)的硅（Si）器件，碳化硅（SiC）擁有諸多優(yōu)勢，涵蓋了廣泛的功率水平和應用。憑借 SiC 器件更高的工作溫度、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度和更高的電壓/電流能力，SiC 器件可輕松替換現(xiàn)有的基于 Si 的器件及系統(tǒng)。特別是當其可提供行業(yè)標準尺寸時，如 WolfPACK 功率模塊系列產(chǎn)品。無論是想要升級系統(tǒng)或者新設計新，SiC 都能以最低的損耗提供最高的效率和可靠性。Wolfspeed SiC 產(chǎn)品組合包含支持所有功率范圍的器件。650 V 至 1,700 V 的分立器件可帶來靈活、低成本的多種解決方案，同時 壓接無基板設計的 WolfPACK 系列能夠滿足行業(yè)標準的中等范圍功率要求。設計人員可以在 WolfPACK 模塊和高功率模塊之間自由選擇，從而根據(jù)其應用擴展功率，優(yōu)化功率密度、簡化設計、降低系統(tǒng)成本、提升可靠性。
2022-08-08
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如何化解第三代半導體的應用痛點
在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導體產(chǎn)業(yè)進一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應用中的顯著性能優(yōu)勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?/p>
2022-06-08
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現(xiàn)代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關(guān)器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。
2022-04-01
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為什么貼片的開關(guān)穩(wěn)壓器模塊能提高設計工程師的工作效率
制造商不愿意將錢花在現(xiàn)成的模塊上，而是參考控制IC的應用電路，使用分立器件搭建一個開關(guān)穩(wěn)壓器安裝在電路板上。這種方法在理論上是有效的，但實際上卻存在一些問題。
2022-01-18
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Vishay 235 EDLC-HVR ENYCAP系列電容器榮獲AspenCore全球電子成就獎
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年11月5日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司的235 EDLC-HVR ENYCAP?系列電容器榮獲2021年度AspenCore全球電子成就獎，被評為年度高性能無源/分立器件。該器件是業(yè)內(nèi)先進的加固型ENYCAP雙電層儲能電容器，在+85 °C條件下使用壽命達2,000小時，經(jīng)過85 / 85 1500小時帶電測試，具有最高等級耐潮濕能力。
2021-11-05
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低成本、高精度的電池測試設備數(shù)字控制方案
電池測試設備，是鋰離子電池生產(chǎn)線后處理系統(tǒng)的重要環(huán)節(jié)，對于鋰離子電池的質(zhì)量至關(guān)重要。電池測試設備的核心功能是對鋰離子電池進行高精度的恒流或恒壓充放電，傳統(tǒng)的控制方法以使用分立器件搭建的模擬控制方案為主。相比于傳統(tǒng)的模擬控制方案，采用TI的C2000?為核心實現(xiàn)的數(shù)字控制方案，由于其低成本、高精度、更靈活、保密性較好等優(yōu)點，將成為未來電池測試設備主流的發(fā)展方向。本文中，將詳細介紹如何通過TI的C2000數(shù)字控制方案，有效降低系統(tǒng)成本，并保證極高的電流、電壓控制精度。
2020-12-14
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TE榮獲2020年度ASPENCORE全球電子成就獎
上?！?020年11月16日——全球高速計算與網(wǎng)絡應用領(lǐng)域創(chuàng)新連接方案領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity（TE）近日宣布TE散熱橋I/O連接器榮獲ASPENCORE 2020年度全球電子成就獎。該產(chǎn)品具有出色的散熱性能、靈活性、創(chuàng)新性，以及杰出的行業(yè)影響力，因而被評為“年度高性能無源/分立器件”。
2020-11-16
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SiC將會是分立器件和模塊共存的市場
隨著半導體材料步入第三代半導體時代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實上，從特性上來講，SiC和GaN的優(yōu)勢是互補的，應用覆蓋了電動汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器、醫(yī)療、通信射頻。
2020-11-06
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