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第二講 PCB的EMC布線分割、干擾抑制和去耦電容配置
有關(guān)資料顯示,90%的電磁兼容問題是由于電路板的布線和接地不當(dāng)造成的,良好的PCB布線設(shè)計,能夠在不增加電路板生產(chǎn)成本的基礎(chǔ)上,提高電子設(shè)備的抗干擾性能,減小干擾發(fā)射,提高傳輸信號的完整性。本講從PCB上走的高頻特性入手,詳細(xì)介紹通過物理上的分割來減少不同類型線之間的耦合、基準(zhǔn)面的射頻...
2013-06-19
PCB的EMC布線設(shè)計 PCB的去耦電容配置 PCB布線
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SiC和GaN,新興功率器件如何選?
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計增長18倍,主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史,但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn),GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角?我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎?
2013-06-19
功率器件 SiC BJT SiC
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ADI四款極具市場競爭力的MEMS傳感器產(chǎn)品
ADI在MEMS傳感器領(lǐng)域?qū)嵙Ψ浅姡芏嘈阅苁菢I(yè)內(nèi)其它公司所無法企及的,如以下四款產(chǎn)品均在業(yè)內(nèi)極具競爭力,不是尺寸最小,就是集成度最高、功耗最低或具有極高的振動抑制特性/零偏穩(wěn)定性,看完后,你會使用它們嗎?
2013-06-19
ADI MEMS傳感器 ADIMEMS傳感器
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英飛凌推出導(dǎo)熱膏TIM,傳導(dǎo)熱阻可降低20%
英飛凌成功推出可降低功率半導(dǎo)體金屬表面與散熱器之間接觸熱阻的導(dǎo)熱界面材料TIM,導(dǎo)熱性能顯著提升,且能降低功率半導(dǎo)體金屬表面和散熱器之間的接觸熱阻。英飛凌目前正在計劃擴展其產(chǎn)品范圍。
2013-06-19
導(dǎo)熱膏 英飛凌 TIM 半導(dǎo)體
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巧避兩大因素,延長CMOS使用壽命
對于模擬CMOS而言,有兩大主要危害,其一是靜電,其二是過壓。因此,要做好CMOS的保護,就需從這兩大主要因素入手,避免錯誤地使用CMOS,從而延長CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應(yīng)對這兩大危害。
2013-06-19
CMOS 電路 CMOS器件 靜電 過壓
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Maxim推DeepCover安全認(rèn)證器件,強大公鑰加密算法保護完備
Maxim 推出一款面向主機控制器外設(shè)認(rèn)證應(yīng)用的高度安全加密方案——DeepCover?安全認(rèn)證器件DS28E35 ,為醫(yī)用傳感器和工業(yè)應(yīng)用提供高級別安全保護、簡化互聯(lián)復(fù)雜度。DS28E35通過單引腳1-Wire?接口通信,有效降低互聯(lián)復(fù)雜度、簡化設(shè)計、降低成本。
2013-06-18
DeepCover安全認(rèn)證器件 Maxim DeepCover安全認(rèn)證器件DS28E35
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Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
Vishay將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站(夏季會)上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號館A214,展示亮點是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品,包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。
2013-06-18
Vishay 2013中國電子展 2013中國電子展成都站Vishay展臺
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