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利用單片機實現復雜的分立邏輯
開發人員可利用PIC16F13145系列單片機中的可配置邏輯模塊（CLB）外設實現硬件中復雜的分立邏輯功能，從而精簡物料清單（BOM）并開發定制專用邏輯。
2024-11-05
單片機 分立邏輯
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實時控制技術如何實現可靠且可擴展的高壓設計
隨著功率水平需求的提升和現代電源系統的日趨復雜，對高壓系統的需求也發生了重大變化。為了有效滿足這些需求，有必要采用實時 MCU 或數字電源控制器來控制先進的電源拓撲，通過這些出色的拓撲來同時滿足精細的規格和各種電源要求。本文將討論數字電源控制在高壓應用中的一些優勢，并演示其如何助力...
2024-11-05
高壓系統 電力電子設備 實時控制技術
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我的熱插拔控制器電路為何會振蕩？
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器，在啟動和電壓/電流調節期間可能會發生振蕩。數據手冊通常會簡要提到這個問題，并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受...
2024-11-04
熱插拔 控制器電路 振蕩
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為惡劣工業環境中的以太網安裝保駕護航
如今，“工業以太網”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認為它一定與消費和計算設備中使用的以太網有所不同。本博文旨在回顧這種網絡技術的演變，并解釋消費以太網和工業以太網的區別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護以太網網絡免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...
2024-11-04
以太網 工業環境
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第8講：SiC外延生長技術
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產過程及注意事項。
2024-11-04
SiC 外延生長技術
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二極管的單向導電性和伏安特性曲線說明
二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當你從室外推門(門是室內開的)時，如果力很小，門是推不開的，只有力氣較大時，門才能被推開，這與二極管加正向電壓,只有達到門電壓才能導通相似;當你從室內往外推門時，是很難推開的，但如果推門的力氣非常大，門也會被推開，不過門被開的同時一般也就損壞...
2024-11-04
二極管 向導電性 伏安特性
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如何使用GaNFET設計四開關降壓－升壓DC－DC轉換器？
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-04
GaNFET DC－DC轉換器 降壓 升壓
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