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使用RX單片機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電源控制的示例
作為使用RX單片機(jī)進(jìn)行逆變器控制的應(yīng)用，以UPS為例對(duì)基于MCU的電源控制可行性進(jìn)行介紹。RX-T系列主要應(yīng)用于空調(diào)室外機(jī)和工業(yè)逆變器，在逆變器控制領(lǐng)域享有盛譽(yù)。近年來，還廣泛用于UPS、太陽能逆變器和EV充電器等電源控制應(yīng)用中。本次以UPS電源控制應(yīng)用為例，對(duì)基于MCU實(shí)現(xiàn)的電源控制進(jìn)行介紹。UPS...
2023-01-19
RX單片機(jī) 數(shù)字電源控制
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垂直供電助力尖端數(shù)據(jù)處理
隨著先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的出現(xiàn)，高性能人工智能 (AI) 處理器的功率不斷上升，內(nèi)核電壓則在不斷下降。這些發(fā)展給電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來很大挑戰(zhàn)，例如需要管理因?yàn)楣╇娋W(wǎng)絡(luò) (PDN) 阻抗壓降不斷上升的而引起大電流低電壓處理器電源引腳間的電壓梯度、瞬態(tài)性能規(guī)格以及功耗等難題。
2023-01-19
PDN 數(shù)據(jù)處理 AI
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瞬態(tài)事件如何影響LDO的動(dòng)態(tài)性能？
有兩種瞬態(tài)響應(yīng)。首先，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)?shù)蛪航捣€(wěn)壓器(LDO)提供的負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí)，在LDO輸出端出現(xiàn)過沖或下沖。第二，線路瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)連接的電壓在LDO輸入端發(fā)生變化時(shí)，在LDO輸出端發(fā)生過沖或下沖，具有不同的波形。
2023-01-17
瞬態(tài)事件 LDO 動(dòng)態(tài)性能
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低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)，滿足光伏應(yīng)用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術(shù)。950V IGBT結(jié)構(gòu)基于微溝槽理念，與典型1200V技術(shù)相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開關(guān)損耗顯著降低。通過分析應(yīng)用需求與功率模塊設(shè)計(jì)的相互作用，本文確定了功率模塊的應(yīng)用結(jié)果和優(yōu)化路徑。得益于經(jīng)優(yōu)化的功率模塊設(shè)計(jì)和采用950V技術(shù)，近期推出的無...
2023-01-16
ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 二極管 光伏
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電感飽和與開關(guān)電源之間的密切關(guān)系（中）
在【精選知識(shí)講堂】丨電感飽和與開關(guān)電源之間的密切關(guān)系，這篇講透了！(上篇）中，我們揭示了電感飽和與開關(guān)電源之間的親密關(guān)系，并從開關(guān)電源的控制模式開始，用各種數(shù)學(xué)方法分析了功率電感器飽和對(duì)開關(guān)模式電源控制運(yùn)行的影響。
2023-01-16
電感飽和 開關(guān)電源
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在柵極驅(qū)動(dòng)器IC方面取得的進(jìn)步讓開關(guān)電源實(shí)現(xiàn)新的功率密度水平
像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3 kW 開關(guān)電源 (SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá) 98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá) 100 W/in3。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊(cè)?圖騰柱 PFC 級(jí)中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 ...
2023-01-16
柵極驅(qū)動(dòng)器IC 開關(guān)電源 功率密度
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如何在工業(yè)應(yīng)用中實(shí)施混合控制網(wǎng)絡(luò)
為了滿足各種不同的要求，網(wǎng)絡(luò)工程師需要按照最優(yōu)的混合方式來部署銅纜和各種不同類型的光纖通信設(shè)備，所有這些設(shè)備都與具有冗余電源、寬工作溫度能力、遠(yuǎn)程監(jiān)控和高級(jí)安全功能的緊湊型工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)相連。
2023-01-14
工業(yè)應(yīng)用 混合控制網(wǎng)絡(luò)
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC自舉電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
本文講述了一種運(yùn)用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。不同經(jīng)驗(yàn)的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用中，開關(guān)功耗主要取決于開關(guān)速度。因此，對(duì)于絕大部分本文闡述的大功率開關(guān)應(yīng)用，開關(guān)特性是非常重要的。
2023-01-13
柵極驅(qū)動(dòng)IC 自舉電路 應(yīng)用指南
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小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān)，它可以減小待機(jī)模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實(shí)現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌，大部分負(fù)載開關(guān)包含四個(gè)引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當(dāng)通過ON引腳使能器件時(shí)，導(dǎo)通FET接通，從而使電流從輸入引腳流...
2023-01-12
MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)IC
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