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SMPD先進絕緣封裝充分發揮SiC MOSFET優勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
SMPD 先進絕緣封裝 SiC MOSFET
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第4代SiC MOS、1700V驅動…意法半導體透露了這些重點
過去一年，產業領先企業是如何抓住歷史機遇勇立潮頭？2023年，他們又將如何邁出新時代步伐？為此，行家說三代半、行家極光獎聯合策劃了《產業領袖開年說——2023，全力奔跑》專題報道，本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產品部營銷和應用副總裁 Francesco MUGGER。
2023-06-07
SiC MOS 驅動 意法半導體
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尼得科與瑞薩合作開發新一代電動汽車用電驅系統E-Axle的半導體解決方案
尼得科株式會社（以下簡稱“尼得科”）瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）已達成共識，將合作開發應用于新一代E-Axle（X-in-1系統）的半導體解決方案，該新一代E-Axle系統集成了電動汽車（EV）的驅動電機和功率電子器件。
2023-06-06
尼得科 瑞薩 電驅系統
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設計電荷泵雙極電源
關于雙電源的注意事項：毫無疑問，許多模擬電路都可以在單電源環境中實現，而且這種方法很有優勢。然而，我個人的看法是，當使用雙極電源時，模擬電路更直接、更直觀。我是不愿意用不必要的電源電路使設計復雜化的人，但本文介紹的電荷泵電路非常簡單緊湊，它使雙極性電源成為許多模擬和混合信號設...
2023-06-06
電荷泵 雙極電源
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隔離型驅動芯片下面到底能不能走線
首先給出結論：一般我們把隔離驅動芯片的垂直面下方的PCB設為禁止布線層，既不走任何的信號也不放置各類元器件，如圖1所示。然后再討論為什么不能布線，最后介紹例外的應用情況。
2023-06-06
隔離型 驅動芯片 布線
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小心彎曲：為什么不應通過元件腳端彎曲來走捷徑
許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果，但在生產環境中，我們需要更好地控制腳端彎曲。否則，可能會引起數不盡的問題。本博客文章討論了獲得可靠結果要避免的錯誤以及應遵循的建議。
2023-06-06
腳端彎曲 電力電子
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相較IGBT，SiC如何優化混動和電動汽車的能效和性能？
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
SiC 混動和電動汽車 能效
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增...
2023-06-05
X-FAB BCD-on-SOI 解決方案
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅長期供應協議，共同投資于碳化硅擴產
2023年6月1日 - 緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣布了一項價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅產品10年期供應協議，以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯湃科技是國際領先的現代驅動技術和電氣化解決方案制造商，將向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的投資，用于采...
2023-06-05
緯湃科技 安森美 碳化硅
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