【導讀】中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。
X-FAB采用首個110納米BCD-on-SOI技術實現下一代汽車應用
通過轉移到較低的工藝節點，X-FAB XT011產品的標準單元庫密度達到其成熟的XT018 180納米BCD-on-SOI半導體平臺的兩倍；對于SONOS嵌入式閃存的實現，相較于XT018，其面積也減少了35%；此外，超低導通電阻（R(ds)on）高壓N溝道器件的性能是另一個重要特性（相比XT018工藝有超過25%的改進）。顯著增強的熱性能意味著可以更好地解決大電流應用的難題——這點通常與對Bulk BCD工藝的期望相匹配。
此種全新BCD-on-SOI技術能夠實現符合AEC-Q100 Grade 0等級的設計需求，具有高度穩健性。其工作溫度范圍為-40℃至175℃，還表現出較高的抗EMI能力。由于沒有寄生雙極效應，發生閂鎖的風險完全消除，從而確保最高程度的操作可靠性。
X-FAB為XT011提供了全面的工藝設計套件（PDK）以及廣泛的IP元素，如SRAM、ROM和基于SONOS的閃存和嵌入式EEPROM。因此，客戶將擁有實現“首次成功（first-time-right）”設計所需的所有手段，并將轉化為更短的上市時間。
XT011工藝主要針對需要更高級別數據處理能力的下一代車載應用。此外，它將為現有的工業和醫療產品提供通往更小幾何尺寸的路徑。
“X-FAB已經作為BCD-on-SOI技術的首選晶圓廠而廣為人知；此次成為首家過渡至110納米的晶圓廠，進一步突出了我們在這一領域無與倫比的專業知識。”X-FAB的首席技術官Joerg Doblaski表示，“通過此新一代車規級工藝，我們將為客戶構建生產更復雜且高度集成智能模擬產品所需的堅實基礎。”
采用全新XT011 110納米BCD-on-SOI半導體工藝器件將在X-FAB位于巴黎附近的科爾貝-埃索訥（Corbeil-Essonnes）工廠制造。量產將于2023年下半年啟動。
縮略語：
BCDBipolar-CMOS-DMOS
CMOS互補金屬氧化物半導體
DTI深槽隔離
EDA電子設計自動化
SOI絕緣體上硅
SONOS硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅
關于X-FAB：
X-FAB是領先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團，生產用于汽車、工業、消費、醫療和其它應用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0μm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機電系統（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質量標準、卓越的制造工藝和創新的解決方案。X-FAB的模擬數字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產基地生產，并在全球擁有約4,200名員工。www.xfab.com
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