【導讀】目前提高效率已成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡并不值得。而鑒于與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。 可很大程度的提高效率，但是弊端就是會形成高頻噪聲和輻射EMI。那怎么辦呢？本文教大家一個方法：調整調整PCB布局來降低輻射EMI，噪聲。那么如何調整PCB布局呢？請看下文。
基于最近的趨勢，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡并不值得。超級結可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。 導通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助于提高效率，但也產生電壓(dv/dt)和電流(di/dt)的快速開關轉換，形成高頻噪聲和輻射EMI。
為驅動快速開關超級結MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應對開關性能的影響，以及為使用超級結所做的PCB布局調整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結MOSFET。在這些電壓額定值中，工業標準TO-220、TO-247、TO-3P和TO-263是應用最廣泛的封裝。封裝對性能的影響有限，這是因為內部柵極和源極綁定線長度是固定的。只有引腳的長度可以改變，以減少封裝的源極電感。如圖1(a)所示，10 nH的典型引線電感看起來不大，但這些MOSFET的di/dt可輕松達到500 A/μs！ 假定di/dt為500A/μs，10nH引線電感上的電壓為VIND = 5 V；而10nH引線電感的關斷di/dt為1,000 A / μs，可產生VIND = 10 V的電壓。大多數應用和設計都未考慮到此附加電感也會產生電壓，但這一點不可忽視。以上簡單計算顯示，封裝的總源極電感，即綁定線和引腳電感必須降低至可接受的數值。噪聲的另一個來源是布局寄生效應。有兩種可見的布局寄生效應： 寄生電感和寄生電容。1 cm走線的電感為6-10 nH，通過在PCB頂部添加一層并在PCB底部添加GND層，可降低此電感值。另一類型是寄生電容。圖1(b)顯示了布局中容性寄生效應的原理。寄生電容由兩條相近走線之間或走線與另外一側的地平面之間引起。另一種電容為器件和地平面間的電容。PCB 板兩面上的兩個并行走線能夠增加電容，同時還能減少回路電感，從而減少電磁噪聲輻射。下次設計需要超級結MOSFET時，請考慮這些布局提示。
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