【導(dǎo)讀】利用在 ATMEGA8 DIP-28面包板實(shí)驗(yàn)[3] 中可以下載程序的實(shí)驗(yàn)方式，對于ATmega8單片機(jī)搭建在面包板上的測試芯片。通過實(shí)驗(yàn)來測量對應(yīng)的IO端口在作為輸出端時(shí)相對于GND，VCC的電阻阻抗。
? 01背景
在電子小幫手電路中電源開關(guān)電路分析[1] 中介紹測量模塊電路實(shí)驗(yàn)原理的時(shí)候，對于ATmega系列的 單片機(jī)的輸出端口進(jìn)行了內(nèi)部描述[2] 。特別是對于端口做為IO輸出口的時(shí)候，它可以等效為通過電阻19Ω和22Ω分別上拉到VCC，或者下拉的GND。
▲ ATMEGA單片機(jī)IO口等效電路
那么就會出現(xiàn)一個(gè)新的問題，對于ATmega單片機(jī)，這個(gè)IO口的內(nèi)阻究竟有多大呢？
通過實(shí)驗(yàn)來確定單片機(jī)輸出IO口的實(shí)際電阻阻值，這為將來使用單片機(jī)進(jìn)行測量工作提供數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。
利用在 ATMEGA8 DIP-28面包板實(shí)驗(yàn)[3] 中可以下載程序的實(shí)驗(yàn)方式，對于ATmega8單片機(jī)搭建在面包板上的測試芯片。通過實(shí)驗(yàn)來測量對應(yīng)的IO端口在作為輸出端時(shí)相對于GND，VCC的電阻阻抗。
? 02測量方案
1.測量端口電阻
測量電阻阻抗的方式可以通過以下三種方式來進(jìn)行：
通過V-A方法檢測，也就是通過測量IO口輸入、輸出電流一項(xiàng)相對應(yīng)的IO口電壓的變化，來獲得端口的等效串聯(lián)點(diǎn)租。
使用萬用表直接測量；
使用手持LCR表來測。
2.測量過程
通過軟件編程，使得單片機(jī)的PB4,PB3,PB2,PB1分別處于輸出高電平，和輸出低電平的情況，然后按照上面三種方法來測量對于端口的內(nèi)部等效阻抗。
▲ ATMEGA8 DIP-28封裝
? 03測量數(shù)據(jù)
1.使用V-A方法測量IO內(nèi)阻
(1) IO低電平內(nèi)阻
▲ 測量電路圖示意圖
使用在 低價(jià)電阻箱-阻值測試[4] 中的9999Ω電阻箱，分別改變IO端口的輸出負(fù)載，記錄不同電阻下輸出端口的電壓，進(jìn)而可以進(jìn)行獲得內(nèi)部電阻。
Current(mA)3.0689001.9005001.3760001.0787000.8895000.7549000.6557000.5795000.519100
Voltage(V)0.0866510.0554850.0419590.0344350.0292790.0259460.0235260.0211610.019959
▲ 端口電流與電壓
通過線性擬合，可以建立輸入電流（i，單位mA）與端口電壓之間的線性關(guān)系。
(2) IO高電平內(nèi)阻
測量不同輸出電流下輸出電壓的變化。
Current(mA)3.0660001.8977001.3739001.0770000.8880000.7535000.6545000.5784000.518200
Voltage(V)0.0779720.0504100.0380250.0310650.0266570.0234900.0211600.0194150.018024
▲ 端口電壓與電流
通過實(shí)際測量，可以看到ATmega的IO口在輸出狀態(tài)下，內(nèi)阻分別是26.15Ω（低電平）以及23.56Ω（高電平）。
2.使用萬用表測量IO內(nèi)阻
使用DM3068數(shù)字萬用表，直接測量ATmega的輸出低電平的IO對GND之間的電阻：R Low=26.8Ω
測量ATmega8輸出高電平的IO對VCC（+5V）之間的直流電阻：R High=17.64Ω
注意：由于存在輸出靜態(tài)電壓，不能夠測量輸出高電平的IO對GND之間的電阻，或者輸出低電平IO對VCC之間的電阻。
3.使用LCR表測量IO內(nèi)阻
為了避免單片機(jī)端口的靜態(tài)電壓對于LCR表的測量影響，使用100uF的電解電容進(jìn)行隔直之后，然后在使用Smart Tweezers進(jìn)行測量相應(yīng)端口的內(nèi)阻。
▲ 使用隔直電容之后測量端口的內(nèi)阻
? ※ 結(jié)論
單片機(jī)的IO如果作為輸出端口，它可以等效一個(gè)內(nèi)部穿有內(nèi)阻的電壓源。由于它內(nèi)部是通過MOS管完成IO端口與VCC,GND的相連，所以內(nèi)阻實(shí)際上是這些MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻。
通過對ATmega8單片機(jī)端口的內(nèi)阻測量，可以看到這些內(nèi)阻的大小在20歐姆到30歐姆之間。這與它的數(shù)據(jù)手冊上相關(guān)的數(shù)值基本上是在同一數(shù)量級之內(nèi)。
上文中使用了三種方法測量單片機(jī)IO口的內(nèi)阻，它們的取值基本相似。因此上，在未來實(shí)際上應(yīng)用中，可以根據(jù)具體情況來選擇相應(yīng)的測量方式。
參考資料
[1]電子小幫手電路中電源開關(guān)電路分析: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109242259
[2]單片機(jī)的輸出端口進(jìn)行了內(nèi)部描述: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109238622
[3]ATMEGA8 DIP-28面包板實(shí)驗(yàn): https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/109245968
[4]低價(jià)電阻箱-阻值測試: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/107112157
（來源：與非網(wǎng)，作者：卓晴）
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
面向移動(dòng)機(jī)器人的無線充電技術(shù)實(shí)現(xiàn)工業(yè)4.0
利用物聯(lián)網(wǎng)充分發(fā)揮智能電網(wǎng)優(yōu)勢
助推電動(dòng)汽車發(fā)展的新動(dòng)力：Soitec 的 SmartSiC?
