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滿足高功率應(yīng)用與高效電池隔離需求的解決方案
在新能源電動(dòng)車發(fā)展趨勢(shì)的推動(dòng)下，對(duì)高功率充電的需求日益殷切，而支持高功率密度、高性能和高開關(guān)頻率的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET），成為市場(chǎng)上熱門的產(chǎn)品選擇。另一方面，目前市面上已經(jīng)有眾多利用電池操作的工具與設(shè)備，為了提升電池的運(yùn)作安全性、效率，并提升電池的壽命，必須采用高效的MO...
2022-10-21
高功率應(yīng)用 高效電池隔離
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安森美將主辦一系列電源在線直播，以提高工程師的電源設(shè)計(jì)敏銳性
2022年10月20日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，將主辦一系列面向工程師的電源在線直播，以提高他們的電源設(shè)計(jì)敏銳性，從而提高能效和系統(tǒng)性能。
2022-10-21
安森美 在線直播 電源設(shè)計(jì)
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如何表征寬帶大功率放大器
用戶對(duì)更高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用的需求正在飛速增長(zhǎng)，因此業(yè)界需要開發(fā)能夠在更高頻率和更高階調(diào)制方案下實(shí)現(xiàn)大信號(hào)帶寬的現(xiàn)代化技術(shù)（如高通量衛(wèi)星和 5G 新空口）。然而，帶寬越大，帶給系統(tǒng)的噪聲就越多；調(diào)制方案越高階，則越容易受到噪聲的影響。
2022-10-21
大功率放大器 失真 NPR
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的鉗位電路
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路，其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件，避免運(yùn)行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù)，今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)。
2022-10-21
IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 鉗位電路
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使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對(duì)互補(bǔ)的NMOS和PMOS晶體管。
2022-10-21
CD4007陣列 CMOS 晶體管
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如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號(hào)？
在電磁流量計(jì)和生物電測(cè)量等應(yīng)用中，小差分信號(hào)與大得多的差分偏移串聯(lián)。這些偏移通常會(huì)限制電路在前端設(shè)計(jì)中可以獲得的增益，進(jìn)而影響整體動(dòng)態(tài)范圍。當(dāng)使用較低電源電壓時(shí)，例如在電池供電的信號(hào)鏈中，增益限制更具挑戰(zhàn)性。解決這個(gè)大差分偏移問題的一種方案是使用交流耦合測(cè)量信號(hào)鏈。典型的交流...
2022-10-21
儀表放大器 直流偏移 電磁流量計(jì)
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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應(yīng)用的理想選擇
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正在迅速普及，因?yàn)橐恍┳畛醯目煽啃詥栴}已經(jīng)解決，并且價(jià)格水平已經(jīng)達(dá)到了非常有吸引力的點(diǎn)。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個(gè)器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)，以及由安森美（onsemi）所推出的...
2022-10-20
SiC MOSFET 功率模塊 快速充電應(yīng)用
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