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Digi-Key 擴(kuò)展與 Microsemi 的全球經(jīng)銷(xiāo)合作關(guān)系
Digi-Key 公司是一家知名電子元件經(jīng)銷(xiāo)商，被設(shè)計(jì)師們譽(yù)為業(yè)內(nèi)最廣泛的電子元件庫(kù)，提供立即發(fā)貨服務(wù)，近日擴(kuò)展了與 Microsemi 公司的經(jīng)銷(xiāo)關(guān)系，業(yè)務(wù)合作覆蓋可編程邏輯解決方案，具體包括該公司的 SmartFusion? 可定制系統(tǒng)單晶片 (cSoC) 產(chǎn)品、低功率現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 器件以及相關(guān)評(píng)估板系列。
2012-01-06
Digi-Key Microsemi 可編程邏輯 SoC FPGA
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CMMB移動(dòng)數(shù)字電視終端的設(shè)計(jì)
較強(qiáng)的干擾易對(duì)CMMB移動(dòng)接收的性能產(chǎn)生嚴(yán)重影響。一個(gè)系統(tǒng)性能的穩(wěn)定性不僅由芯片性能、天線(xiàn)性能以及PCB Layout決定，還涉及到空間的各種干擾等等。如果在設(shè)計(jì)中不注意干擾的抑制，往往性能會(huì)有非常大的損失。設(shè)計(jì)一個(gè)性能優(yōu)異的CMMB移動(dòng)數(shù)字電視終端，需要綜合考慮很多因素，本文將作詳細(xì)討論。
2012-01-06
CMMB 移動(dòng)數(shù)字電視 干擾 天線(xiàn)
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由單相有源功率因數(shù)校正（APFC）組合成三相APFC的幾種方法
若能將單相APFC電路簡(jiǎn)單整合成一個(gè)三相APFC電路，將能充分利用成熟的單相控制芯片，制作出滿(mǎn)足要求的三相APFC裝置。下面介紹幾種由單相APFC組合成三相APFC的方法。
2012-01-06
功率因數(shù)校正 PFC 有源功率因數(shù)校正 APFC
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二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測(cè)量
測(cè)試半導(dǎo)體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測(cè)量小電流。其中有些測(cè)試工作包括各種泄漏電流的測(cè)量。另一些對(duì)于晶圓片級(jí)半導(dǎo)體的弱電流測(cè)量則通常與介電材料（氧化物或化合物）的質(zhì)量有關(guān)。這些弱電流測(cè)量工作常常使用靜電計(jì)或源-測(cè)量單元。本文將介紹使用源-測(cè)量單元測(cè)量二極管的泄漏電流以及MOSF...
2012-01-06
二極管 泄漏電流 MOSFET 亞閥區(qū)電流
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測(cè)試SDRAM控制器的PDMA
現(xiàn)代電子信息設(shè)備往往需要保存和處理大量的數(shù)字信息，一個(gè)高性能的Memory控制器可以大大提高系統(tǒng)的性能。在進(jìn)行SDRAM控制器的設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮很多因素，設(shè)計(jì)完成以后還要進(jìn)行多項(xiàng)測(cè)試看是否完全滿(mǎn)足所要求的各項(xiàng)性能，為此我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測(cè)試SDRAM...
2012-01-06
SDRAM控制器 PDMA RTL仿真 PCI
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T/H解調(diào)和斬波運(yùn)放電路應(yīng)用研究
本文在0.35微米N阱工藝的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了單電源供電的全差分?jǐn)夭ㄟ\(yùn)放電路，同時(shí)，為了減小殘余電壓的失調(diào)，采用了T/H(跟蹤-保持)解調(diào)技術(shù)，該電路在斬波頻率150KHz工作時(shí)，輸入等效噪聲達(dá)到31.12nV/Hz。
2012-01-06
差分?jǐn)夭?nbsp; 運(yùn)放 T/H解調(diào)
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42V電源系統(tǒng)
汽車(chē)電源的電壓從上世紀(jì)50年代的6V改為12V，己有50多年的歷史。自1990年開(kāi)始，汽車(chē)用電量每年以5％～8％的比例增加，其平均電力負(fù)荷的發(fā)展歷史與趨勢(shì)見(jiàn)圖1。隨著汽車(chē)技術(shù)的不斷進(jìn)步，將會(huì)有越來(lái)越多的電氣及電子系統(tǒng)被應(yīng)用到汽車(chē)上。
2012-01-06
電樞繞組 硅整流發(fā)電機(jī) 發(fā)電裝置
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