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富士通推出小型化1 Mbit和2 Mbit FRAM產(chǎn)品
富士通近日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲(chǔ)器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM，適用于智能電表、工業(yè)設(shè)備和醫(yī)療器械。
2013-03-26
富士通 FRAM
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泰克公司最新任意波形發(fā)生器 采樣速率高達(dá)50G
電子產(chǎn)品高頻、高速的發(fā)展趨勢(shì)，不斷對(duì)測(cè)試測(cè)量產(chǎn)品的“速度”極限提出挑戰(zhàn)。在測(cè)試儀器廠商“競(jìng)速”的競(jìng)爭(zhēng)中，泰克公司最新推出了采樣速率高達(dá)50 GS/s的任意波形發(fā)生器——AWG70000，結(jié)合其長(zhǎng)波形內(nèi)存和深動(dòng)態(tài)范圍的特性，可以預(yù)見該儀器將在寬帶電子、高速串行通信、光網(wǎng)絡(luò)及高級(jí)研究等領(lǐng)域贏得越來(lái)越多...
2013-03-26
泰克 波形發(fā)生器
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淺析開關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾問題
開關(guān)電源產(chǎn)生的干擾，按噪聲干擾源種類來(lái)分,可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種;若按耦合通路來(lái)分,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對(duì)電子系統(tǒng)和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源，或者切斷電源噪聲和電子系統(tǒng)、電網(wǎng)之間的耦合途徑。
2013-03-26
開關(guān)電源 電磁干擾
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開關(guān)電源輸入端的EMI濾波器
開關(guān)電源干擾主要來(lái)源于工頻電流的整流波形和開關(guān)操作波形。這些波形的電流泄漏到輸入部位就成為傳導(dǎo)噪聲和輻射噪聲，泄漏到輸出部位就形成了波紋問題。考慮到電磁兼容性的有關(guān)要求，應(yīng)采用EMI電源濾波器來(lái)抑制開關(guān)電源上的干擾。
2013-03-26
開關(guān)電源 EMI濾波器
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基于P87LPC767單片機(jī)設(shè)計(jì)的剩余電流保護(hù)器EMC設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是其在受到其他設(shè)備產(chǎn)生的電磁干擾時(shí)能保持穩(wěn)定工作的能力，也即抗干擾能力。剩余電流保護(hù)器受到的干擾主要來(lái)自電網(wǎng)本身，主要有線路突然斷路或雷電瞬變過(guò)壓引起的單極性浪涌(沖擊)，以及由于閃電、接地故障或切換電感性設(shè)備而引起的信號(hào)參數(shù)產(chǎn)生瞬時(shí)擾動(dòng)。
2013-03-26
單片機(jī) 剩余電流保護(hù)器 EMC
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不同混沌調(diào)制信號(hào)對(duì)降低開關(guān)電源EMI水平效果的影響
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,開關(guān)電源正日益得到廣泛應(yīng)用。但是隨著開關(guān)電源的高頻化和大容量化,其在換流過(guò)程中產(chǎn)生了嚴(yán)重的電磁干擾,這些干擾嚴(yán)重污染了周圍電磁環(huán)境和電源系統(tǒng),從而制約了功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
2013-03-26
混沌調(diào)制信號(hào) 開關(guān)電源 EMI
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白光LED驅(qū)動(dòng)器的電磁干擾設(shè)計(jì)
白光LED驅(qū)動(dòng)器采用開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如電感式升壓轉(zhuǎn)換器。轉(zhuǎn)換器在高速開關(guān)的同時(shí)，由于使用電感產(chǎn)生EMI干擾，會(huì)給手機(jī)其他功能模塊的設(shè)計(jì)帶來(lái)困難。隨著LCD屏幕的增大，驅(qū)動(dòng)器所需的輸出能力也相應(yīng)增加，EMI干擾也會(huì)變得嚴(yán)重。
2013-03-26
LED驅(qū)動(dòng)器 電磁干擾
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