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MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現代電子技術中不可或缺的元器件之一，在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現代電力轉換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管...
2025-01-25
MOS管 開關電源
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物聯網如何改變供應鏈
過去十年間，供應鏈發生了顯著變化，而最近物聯網（IoT）的整合更對其產生了巨大影響。除了跟蹤包裹或產品外，監控特定細節的能力已成為供應鏈領域中的一個顛覆性因素。互聯設備和傳感器可對生產流程進行實時監控，從而實現預測性維護并提高整體效率。物聯網的大量應用也推動了市場上一些最具創新性...
2025-01-24
物聯網 供應鏈
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第14講：工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
工業用 SiC 功率模塊
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意法半導體榮膺 2025 年全球杰出雇主認證
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
意法半導體
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IGBT并聯設計指南，拿下！
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。
2025-01-24
IGBT 并聯設計
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-24
功率器件 熱設計 熱系數 結溫
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加速度傳感器不好選型？看這6個重要參數！
本文概述了選擇加速度計時的6個關鍵技術參數，這些參數對確保加速度計適合特定應用至關重要。了解這些參數有助于用戶根據具體需求挑選合適的加速度計型號，以優化性能和準確性。如何選擇合適于應用的加速度計可能是個相當棘手的問題。為了幫助你選擇適合于應用的器件，下面例舉了一些有關器件技術方...
2025-01-24
加速度傳感器
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