在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。
然而，快速開關(guān)同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器時，某些特性至關(guān)重要。詳細閱讀>>
干貨
柵極驅(qū)動器是一種電路，它將控制器輸出的信號轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來控制 MOSFET 或 IGBT 的柵極。在 MOSFET 或 IGBT 中，柵極負責控制主開關(guān)的導通和截止，因此柵極驅(qū)動器對于半導體開關(guān)電路至關(guān)重要。通過使用柵極驅(qū)動器，可以優(yōu)化 MOSFET 或 IGBT 的性能、可靠性和壽命。
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IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。詳細閱讀>>
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帶同步整流功能的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的傳統(tǒng)設計方法是使用光耦合器或脈沖變壓器進行隔離，并將其與一個柵極驅(qū)動器IC結(jié)合在一起。本文將說明光耦合器和脈沖變壓器的局限性，并提出一種集成度更高的方法，其性能更高，解決方案尺寸和成本則低得多。詳細閱讀>>
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高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動器，它的高電源/輸出驅(qū)動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應用和IGBT/SiC FET應用的理想選擇。詳細閱讀>>
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隔離式半橋柵極驅(qū)動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸解決方案方面的卓越能力。詳細閱讀>>
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在照明、功率轉(zhuǎn)換和電機控制等負載應用中電壓不穩(wěn)很常見，這主要是低側(cè)柵極驅(qū)動器的MOSFET在作祟。柵極驅(qū)動器能設計為可提供能高效驅(qū)動所需的高峰值電流，那么如何降低不穩(wěn)定因素呢？首先要了解驅(qū)動它們所需的功率MOSFET管的基本特征和驅(qū)動所需信號。下文將針對MOSFET在低側(cè)柵極驅(qū)動器如何設計做一些經(jīng)驗分享。詳細閱讀>>
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高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，大多數(shù)類型的FET固有。它由p-n結(jié)點形成并且位于漏極和源極之間。本文主要來討論過高速柵極驅(qū)動器如何幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率。詳細閱讀>>
經(jīng)典案例
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集成了電機控制器、三相柵驅(qū)動器600V/2A和600V/4A IPM, 在沒有散熱器情況可以驅(qū)動50W/70W電機，目標應用為大小家電和風機水泵。詳細閱讀>>
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AMT49100和AMT49101是Allegro針對48V電池系統(tǒng)而開發(fā)的N溝道功率MOSFET驅(qū)動器，能夠控制以三相橋式布局設置的MOSFET，可用于具有高功率電感性負載的48V汽車功率應用。詳細閱讀>>
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-1A/2A，160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動器，帶有集成的電源管理單元（PMU）、電流感應放大器（CSA）和過流保護（ITRIP）。詳細閱讀>>
總之，柵極驅(qū)動器是一種非常重要的半導體器件，可以顯著提高 MOSFET 和 IGBT 的性能和可靠性。通過使用柵極驅(qū)動器，可以確?？刂破髂軌蚋玫乜刂七@兩種器件的操作，并擴展它們的使用壽命。同時，柵極驅(qū)動器也為工程師提供了一個簡單、安全、可靠的方法來控制 MOSFET 和 IGBT，從而降低了系統(tǒng)的成本和復雜性。
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