- 探究電流傳感器在太陽能裝置中的應用
- 不將電能送進電網
- 對用于自動化裝置加電的電池進行充電
- 使用用于跟蹤功能的電流和電壓傳感器
除了諸如《京都協議書》等政治策略所帶來的動力和壓力之外，多種形式能源不斷增長的成本以及“更潔凈”動力源的搜尋也在推動著對諸如太陽能等替代能源的關注。許多新設計不斷涌現，從而最有效和高效地利用這些能源。這些設計具有當今電子技術的支持，其中包括電流傳感器。
當太陽能電池板所產生的電能反饋回電網時（一個“電網連接”系統），可以采用兩種連接方式：
將太陽能電池組件與逆變器連接，經變壓器（圖1）接入電網，或者將逆變器直接與電網連接，避免使用變壓器（無變壓器系統）（圖2）。
圖 1
圖 2
另外一個解決方案是不將電能送進電網，而是對用于自動化裝置加電的電池進行充電。這就是“離網”。對于偏僻建筑的應用，如開采沉陷、澳大利亞或加拿大或第三世界國家村莊內的偏僻沉陷，以及路標和地下光等。
現在，市場上可供應處理從500W到10KW功率的太陽能逆變器，以及高達500KW能力的裝置也有可能，例如大型體育館地下停車場的連續照明。系統使用壽命可能長達20年。兩種類型的系統（有變壓器和無變壓器）均可提供一個單相輸出（用于較小功率系統）或三相輸出（用于大功率系統），這取決于目標電網和電力裝置。
根據系統設計目的不同（包括尺寸、重量、穩固性、與電網的電氣分離、價格、效率和損失），現在大多使用兩種或三種不同的逆變器。為了幫助提高效率和保護系統，對所有類型太陽能逆變器內的電流進行測量很重要。
由于無變壓器設計中不會產生變壓器損失，因此是最有效的類型。在這種配置中，有時在光伏（PV）方陣和逆變器（DC/AC）之間使用一臺升壓轉換器來將組件的電壓轉換成逆變器的輸入電壓。
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通常在剛好在PV 方陣后使用最大功率點跟蹤（MPPT）組件來確保方陣工作在其最大功率運行水平。通過使用用于跟蹤功能的電流和電壓傳感器，應用一種特殊軟件算法和專用電子元件一起來控制電池板（電池）的工作點。一般來說，一臺電流傳感器可用于測量單相輸出（供到電網的電流），而另一臺傳感器可用于測量輸入直流電流（10-25A）。在三相輸出的情況下，兩臺傳感器可用于測量三相輸出的交流電流。接入電網的DC/AC逆變器是一臺將直流信號轉換為正弦波的全橋逆變器。
流入電網的逆變器輸出電流（15-50ARMS）由一臺傳感器進行測量，以便反饋回至控制器進行脈寬調制（PWM）正弦波控制。控制器主要基于供有+5V電壓并與電子控制系統其他有源元件共享基準電壓的微處理器或DSP（數字信號處理器）。LEM公司的HMS電流傳感器通過一個+5V電源來運行。其內部基準電壓（2.5V）由一個單獨的端子提供，允許通過DSP或微處理器輕松使用傳感器。但是，傳感器還能接受來自這些相同DSP的外部基準電壓（2V到2.8V之間），傳感器從這些DSP上獲得其自身基準電壓。控制系統所有電子元件之間的這種共生使得整個應用效率更高（錯誤計算中的基準漂移消除）。HMS電流傳感器非常適合太陽能逆變器所需要的所有電流測量。
電流傳感器可用于峰值電流檢測，用于真實值與設定點的對比。逆變器還在控制輸出頻率的系統中使用電流傳感器。實際上，無論頻率何時移出預選范圍，逆變器都會停止運行一會兒（短于兩秒）。
由于在電網上（交流側）需要不能超出的低直流值，因此偏移和溫度漂移必須盡可能最好。對電網連接的另一個要求是不能將直流電流供進電網。由傳感器偏移或IGBT通信產生的直流電流可能會引起網絡麻煩。該電流可能會使變壓器產生飽和，這樣會使網絡產生更多損失和更多諧波。對于無變壓器配置，這不是個大問題。
盡管各國都有自己各自不同的接受值，但是共同要求都是標稱輸出電流的0.5%或1%，或者在一些國家是一個限定值（英國為20mA，德國和比荷盧三國關稅同盟為1A，日本為100mA，中國和美國為50mA）。如果直流電流大于這個限定值，則必須將系統與電網斷開。對于是否需要測量直流電流或只是檢測臨界值，現在還沒有清晰的界定。
在未來的太陽能設計中，該電流可能會予以補償。直流元件會通過測量交流電流的平均值來計算;這代表直流元件。因此，逆變器控制環路中所使用的電流傳感器直流偏移應該盡可能的低。而且，應避免由于逆變器IGBT切換延遲而產生的直流偏移或使其盡可能的小。該直流偏移可導致網絡分配變壓器產生飽和。為了減小這個直流偏移，正在開發新的逆變器拓撲技術。
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HMS電流傳感器外形尺寸僅僅為16 （長） x 13.5（寬） x 12（高）mm
可提供涵蓋標稱交流、直流、脈沖和混合隔離電流測量的四種標準模塊，這些模塊可在寬至± 3 x IPN的測量范圍內測量高達50kHz的5、10、15或20 ARMS電流。四種模塊的機械設計完全相同，因此這些模塊可用于測量整個最終產品范圍的電流。增益和偏移為固定值并進行了設定，因此，在lpn，輸出電壓等于輸入或輸出基準電壓± 0.625 V。
設計與開環霍爾效應技術共同使用的獨特LEM ASIC已經用于改善性能。除了與傳統離散技術相比更寬的工作溫度范圍（-40到+85°C）之外，這些性能改善還包括更好的偏移和增益漂移以及線性度。
