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通過 SPICE 仿真預測 VDS 開關尖峰
電源行業的主要目標之一是為數據中心和5G等應用中的電源設備帶來更高的電源轉換效率和功率密度。與具有單獨驅動器 IC 的傳統分立 MOSFET 相比，將驅動器電路和功率 MOSFET（稱為 DrMOS）集成到 IC 中可提高功率密度和效率。
2023-10-07
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Wi-Fi的發展歷程和Richtek在Wi-Fi 7中的電源解決方案
Wi-Fi 在 1999 年就出現了，但 Wi-Fi 6 是 2018 年才誕生的一個名詞，在此之前并無 Wi-Fi 5 之類的更早的東西，那時的我這樣的普通人只能看著 Wi-Fi 設備上寫的符合 IEEE 802.11/a/b/g 之類的字符串，完全不知道在說什么，直到 Wi-Fi 聯盟覺得應該用一個簡單的數字來讓我們有一個清晰的代際劃分，這才有了 Wi-Fi 4~6 的出現，它們其實就是 IEEE 802.11 無線互聯網技術的一個實現，所以我覺得這個東西就是先有了兒子才有了父親，然后現在孫子又出來了，那就是 Wi-Fi 7。
2023-10-06
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以更小封裝實現更大開關功率，Qorvo SiC FET如何做到的？
每隔一段時間便會偶爾出現全新的半導體開關技術；當這些技術進入市場時，便會產生巨大的影響。使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。與傳統硅基產品相比，這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方面都有了質的飛躍。
2023-10-05
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如何為Lattice CertusPro-NX FPGA評估板優先考慮效率和成本
現代現場可編程門陣列(FPGA)系列（如Lattice Semiconductor CertusPro?-NX）適用面廣泛，但需滿足根據特定市場驅動的需求而定制的電源要求。如果不清楚該如何平衡成本、性能和尺寸這三個要素，則可能難以為這些器件選擇合適的供電方式。本文介紹了適用于CertusPro-NX評估板的解決方案，同時針對特定需求闡明了各種解決方案實現優化的原理和原因。μModule?電源解決方案尺寸小巧、設計簡單，為FPGA系統提供了一種非常實用的設計方法，但還有其他選項可供電源系統架構師考慮。
2023-09-28
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突破光耦合的溫度限制，實現功率密度非常高的緊湊型電源設計
對于電氣隔離電源，您必須確定電氣隔離控制器IC在初級或次級的哪一端將會導通，如果它位于次級端，則必須通過電氣隔離提供對初級端電源開關的控制。
2023-09-28
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MRigidCSP 技術：移動設備電池管理應用的突破
在不斷發展的便攜式設備領域，對更小、更高效和更強大的解決方案的持續需求是。實現這一目標的一個關鍵方面是優化電池管理電路，而這正是 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 突破性的 MRigidCSP（模制剛性芯片級封裝）技術發揮作用的地方。
2023-09-27
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電動汽車熱和集成挑戰
到目前為止，我們提到的每一種趨勢都帶來了獨特的技術挑戰。對于更高集成度的解決方案，主要挑戰在于創建節能解決方案。具體來說，隨著高性能組件之間的集成變得更加緊密，對熱密度的擔憂開始威脅到設備的可靠性。控制熱量需要高能效半導體，將少的功率轉化為熱量。因此，業界正在采用SiC MOSFET代替IGBT。高能效半導體使 xBEV 電池無需充電即可使用更長時間，從而延長汽車的行駛里程。由于行程范圍非常重要，這反過來又提高了電動汽車在市場上的價值。
2023-09-27
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巧用降壓芯片生成負電壓及Vishay功率IC產品介紹
電子電路中負電壓需求有幾種，一種是隔離式的負電壓，在電力、通訊等對抗干擾性能要求較高的場合，需要隔離前端電源輸入的干擾，這個時候可以基于變壓器添加繞組來產生負電壓，或者也可以采用隔離式的電源模塊輸出負電壓給系統供電。另一種是非隔離式的負電壓，通過正輸入電壓，使用Charge Pump, Buck-Boost, Buck, Sepic 等拓撲結構電壓芯片等來產生負電源。
2023-09-26
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革命性醫療成像 imec用非侵入超音波監測心臟
比利時微電子研究中心（imec）的研究人員，推出為超音波成像應用所開發的創新第二代壓電式微機械超音波換能器（PMUT）數組。該數組具備一層氮化鋁鈧（AlScN）壓電層，在水中實現優異的影像擷取，波束控制深度達到10cm。此次取得的技術突破為曲面感測、革命性醫療成像及監測這類復雜的超音波應用提供了發展條件。近期imec攜手其衍生新創Pulsify Medical，一同推動心臟監測技術朝向非侵入式且無需醫師操作的方向發展。
2023-09-26
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選擇正確的電源 IC
電源IC是電源設計中必不可少的部件。本教程將提供為給定應用選擇適當 IC 的步驟。它區分了三種常見的由直流電壓供電的電源 IC：線性穩壓器、開關穩壓器和電荷泵。還提供了更的教程和主題的鏈接。
2023-09-24
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SiC優勢、應用及加速向脫碳方向發展
如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-24
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LED 和檢測器 IC 的熱阻測量
該封裝安裝在低電導率測試板上，根據 JEDEC 標準，該測試板的尺寸為 76.2 mm x 76.2 mm。包相對居中。總共準備了兩個低電導率板用于測量。這些測試板由 FR-4 材料制成，銅跡線厚度符合低電導率板的 JEDEC 標準。所有板上都使用了經過測試的“良好”設備。所有熱阻測量數據列于圖 2 中。
2023-09-23
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