【導讀】『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結合產業現狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。本篇繼續闡述 RF 濾波器的一些重要概念。
『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結合產業現狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。本篇繼續闡述 RF 濾波器的一些重要概念。
了解濾波器的溫度系數
似乎每年都會為手機、Wi-Fi、汽車等應用分配新的頻譜。增加新的頻譜是好事，它們會推動無線設備逐步改進。但增加這些額外的頻譜有時候會影響到某些區域，導致其中的頻段相互重疊。此外，因為 RF 路徑增加，會導致系統發熱量隨之增加。
為了確保妥善隔離這些信號路徑，會使用溫度系數較低的RF濾波器。但并不是任何一種濾波器都適用于這些頻段緊密相連的應用。如圖1所示，手機和Wi-Fi頻段有時候緊挨著彼此，只相差幾個兆赫茲。我們使用BAW等RF濾波器技術來確保這些頻段彼此共存。
圖1：緊密連接的 Wi-Fi 和手機頻段的示例
在SAW和BAW技術中，采用最優的溫度系數至關重要。它可以決定一個應用是容易遭到RF干擾，還是具有出色的信號質量。在BAW和SAW技術中，濾波器響應基于溫度變化，如圖2所示。
圖2：壓電式濾波器的溫度漂移
當濾波器響應隨著應用溫度而改變時，濾波器帶寬在變冷時向右漂移，在變熱時向左漂移。濾波器的溫度漂移是由工藝的百萬分之一攝氏度(ppm/°C) 特性和濾波器在應用中經歷的溫度漂移決定的，如圖2所示。
應用的頻率和環境條件通常是固定的，因此，要將濾波器的溫度漂移降到最低，唯一方法是通過工藝技術。使用溫度補償（TC）濾波器工藝技術會影響濾波器的整體響應。如圖2所示，TC-SAW、多層SAW和BAW技術工藝大大降低了單個濾波器的溫度漂移。這些BAW、多層SAW和TC-SAW工藝技術提供更低的插入損耗，產生更陡的濾波器裙邊，并提供更好的溫度響應，這些都等同于溫度變化期間更好的帶外衰減。它們還能提高接收器的靈敏度、隔離和抑制。
與SAW濾波器相比，BAW濾波器本身對溫度變化的敏感度更低。溫度補償（TC-SAW和TC-BAW）甚至會進一步降低溫度敏感度。
在BAW中，可以使用某些設計技術來創建TC-BAW類型的結果，但一般來說，當涉及到實現良好的溫度系數值時，BAW是有效的。但是，由于結構不同，三種類型的BAW在求解溫度系數時存在差異。
下圖說明空腔可能會影響散熱路徑，從而影響濾波器的溫度系數。在5G和Wi-Fi應用中，當處于更高頻率時，BAW相較于FBAR的優勢會更加明顯。由于諧振器的尺寸更小，所以在更高頻率下，處理濾波器的功率會變得更具挑戰性。但是，在使用BAW時，反射器層也會變得更薄，這會進一步改善散熱。
圖3：BAW 與 FBAR 濾波器在功率和散熱方面的比較
相比之下，使用FBAR時，空腔上方的膜變得更薄，降低了它從諧振器轉移熱量的能力。因此，當BAW和FBAR之間的插入損耗為常數時，發射功率每升高一瓦，溫度升高20°C，FBAR則是每瓦升高70°C。溫度變化越小，性能越高，使得BAW濾波器能夠滿足系統在高功率、高溫條件下的插入損耗和帶外衰減要求。此外，因為高Q因數和高耦合，BAW濾波器具有低插入損耗，這有助于降低功耗和相關的散熱問題。
由于如今的高頻率和小尺寸應用，溫度方面的限制也愈加嚴苛。此外，設計的頻率越高，要滿足參數要求的難度就越大。其中一個關鍵參數是插入損耗。線路長度、匹配組件、濾波器組件和連接走線都會對插入損耗產生額外影響。頻率高于3GHz時尤其如此。為了優化系統的鏈路預算，需要使用低插入損耗濾波器。
Q因數評估
濾波器的插入損耗由多種因素決定。其中包括相對于中心頻率的濾波器帶寬、濾波器的階數，以及組成組件的諧振器的Q因數。Q因數是衡量諧振電路的選擇性的一個指標。
如圖4所示，諧振器損耗和耦合是實現低插入損耗和高選擇性的關鍵。如果諧振器的耦合和阻抗相似，可以通過Q因數來比較它們的性能。
圖4：RF 濾波器的Q因數、帶寬和衰減特性
了解濾波器耦合系數
在濾波器技術中，驅動應用性能的兩個性能參數是濾波器耦合系數和Q因數。
RF 濾波器諧振器耦合系數是決定聲學耦合濾波器帶寬的關鍵因素。在SMR或FBAR配置中，提高BAW濾波器諧振器的耦合效率可以在小封裝尺寸下提供低插入損耗和高性能。
有效耦合系數（K2eff）是測量諧振頻率（?s）和抗諧振頻率（?p）之間的相對間距的一種指標。它的值取決于許多因素，包括電極和壓電特性。
機電耦合系數用于測量壓電式器件在將電能轉化為機械能時的效率，反之亦然。互能，或可轉換能，是彈性能和介電能。為了使濾波器諧振器的耦合系數達到最大，提供的聲能反射應盡可能接近諧振器，這一點至關重要。例如在BAW濾波器中，諧振器的有效耦合系數決定了濾波器可獲得的平坦通帶帶寬。
了解濾波器封裝
在許多應用中，射頻前端 (RFFE) 的表面積在不斷縮小。之所以出現這種變化，主要是因為器件尺寸不斷縮小，以及需要為更多消費電子功能騰出空間。
如今的大多數封裝都是模塊和單片集成，或者兩者的組合集成。下圖展示了一個高度集成的模塊，包括功率放大器、BAW 濾波器和天線開關。這個模塊又會集成到更復雜的系統級封裝 (SiP) 中。而這只是常規應用中單個SiP內集成的多個復雜模塊中的一個。
圖5：SiP內部的復雜RF模塊
在了解 RF 濾波器技術的一些重要基礎概念之后，更多系統工程師使用濾波器技術的實例將逐步呈現給大家。
文章來源：Qorvo半導體
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