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帶微處理器的繼電器將會迅速發展
隨著微型和片式化技術的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發展；現在國際上有些廠家生產的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因為電子整機在減小體積時，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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TDK開發出1005尺寸移動設備用薄膜帶通濾波器
TDK公司宣布開發出一款厚度僅0.3mm的1005尺寸薄膜帶通濾波器。TDK采用了其在HDD磁頭（TDK的主打產品）生產中研發的薄膜工藝，從而制造出真正低高度 (low-profile)且體積縮小至早期的2012尺寸產品1/12的濾波器。
2008-09-25
帶通濾波器
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滿足數字系統設計的超薄、緊湊型DC/DC穩壓器模塊
模擬DC/DC穩壓器IC設計師和封裝工程師采用創造性的方法推出具更佳熱性能、更低噪聲和更緊湊尺寸的DC/DC穩壓器負載點（POL）解決方案后，凌力爾特公司推出了最新 DC/DC 微型模塊（μModuleTM）穩壓器LTM4604，本文詳細介紹了LTM4604的若干優點及相關性能。
2008-09-25
DC/DC 穩壓器 LTM4604 電流模式架構 POL 系統
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電子元器件：終端市場未來價格壓力加大
半導體：08年上半年國內集成電路產業收入增長10.4％，增速創近5年來的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3％，未來五年年均增長8-9％。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
在中國中，電源|穩壓器管理IC仍舊占據市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩壓器管理IC IGBT
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SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業內首款采用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。
2008-09-24
SiE726DF MOSFET 肖特基二極管
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TDK量產1608尺寸的高衰減帶通濾波器
TDK公司9月17日宣布，九月份已開發并量產用于2.4GHz無線局域網和藍牙1的積層帶通濾波器。雖然該產品為1608尺寸且厚度僅為0.55mm，但實現了與早期產品相同的低損耗、高衰減2特性，體積較原先縮小40%。
2008-09-19
帶通濾波器
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微特電機 變生產大國為技術強國
近幾年，我國微特電機行業有了長足的發展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環渤海三大地區已經形成我國微特電機的重要生產基地和出口基地。我國已經成為世界微特電機的生產大國。
2008-09-18
微特電機
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優化變換器的FET開關以改善能量效率
現在越來越多的設計師在關注DC/DC功率系統的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍首，而通過采用先進的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優化工藝的發展。首先，為了改善產品的開關特性（開關速度），他們實施了先進的柵極結構設計，降低了柵極電荷（Q...
2008-09-18
MOSFET 開關和傳導損耗 系統級效率 開關特性 單元密度
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