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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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廣交會機電產品成交降13% 歐美客戶狠壓價
機電歡喜紡織愁的出口走勢悄然變化，中國外貿額中占到半壁的機電產品在金融海嘯沖擊下出口增速也很可能下滑。廣交會昨日對外公布第104屆一期情況，機電產品成交不容樂觀。廣交會昨日公布的數據顯示，本屆廣交會第一期到會境外采購商共87305人，出口累計成交164.5億美元，其中機電產品139.2億美元，...
2008-10-22
機電
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西門子變頻器參數設置的探討
本文介紹了西門子變頻器控制方式選擇，快速調試，加減速時間調整，以及轉動慣量設置。
2008-10-22
變頻器 控制方式 快速調試 加減速時間 轉動慣量
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用于軟起動器的晶閘管模塊SEMiSTART
本文介紹了電機起動控制的三種方式，軟起動器對晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術以及SEMiSTAT模塊的技術指標。
2008-10-22
電機 晶閘管 裝配 SEMiSTAT模塊
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自動轉換開關電器ATSE的現狀選擇與應用
本文介紹了國內外ATSE產品現狀，產品結構分析對比及ATSE的選擇以及ATSE產品的應用，最后簡介新一代PC級ATSE產品。
2008-10-22
ATSE PC級 轉換開關
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分立器件封裝低端市場競爭激烈
目前，半導體分立器件還沒有享受到像集成電路產業那樣的優惠政策，不利于分立器件持續發展。中國分立器件企業要堅持在科學發展中尋找解決困難的途徑，以積極的姿態迎接中國半導體美好的明天。
2008-10-21
分立器件 光電二極管 二極管 三極管 肖特基二極管
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IGBT集成驅動模塊的研究
本文主要研究IGBT集成驅動模塊，首先闡述了IGBT驅動保護電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結構和典型應用，最后結合IR、UC37系列驅動器進行比較得出結論。
2008-10-17
IGBT集成驅動模塊 驅動保護電路 EXB841 M57962AL GH一039 HL402
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一種升壓型PFM控制DC/DC轉換器
本文設計了一種升壓型PFM控制DC/DC轉換器，該電路可在低輸入電壓0.9V下工作，利用PFM控制電路，根據負載大小自動切換占空比系數，結構簡單、功耗低、在大范圍內可獲得較低的輸出紋波和高效率，輸出電壓精度為±0.3%。
2008-10-17
DC/DC轉換器 PFM控制 升壓
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電池：朝陽產業受到追捧
節能減排背景下，環保動力電池極具發展動能。自主創新、節能減排與結構調整將是轉變經濟發展方式的關鍵。特別是節能減排和環保，是我國提高經濟發展質量必須貫徹的基本要求，而環保汽車動力電池項目也是節能中的一個重要領域，具有此概念的環保動力電池行業在未來的經濟發展中將占有重要地位，也必...
2008-10-16
電池
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