【導讀】場效應晶體管的輸出曲線如何理解？場效應管輸出特性曲線分為三個區(qū)：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)和擊穿區(qū)。VDS較小時，場效應管工作在可變電阻區(qū)，ID近似隨VGS作線性變化。VDS較大時，工作在恒流區(qū)，ID保持穩(wěn)定，不隨VGS的變化而改變。當VDS大于某一臨界值時，進入擊穿區(qū)，ID開始迅速增大，場效應管不能正常工作。下面通過一些實例問答來幫助大家加深對場效應晶體管的輸出曲線的認知。
場效應晶體管的輸出曲線實例一：
問：如圖，Vgs=8V，Vds=20V的時候，Id都接近300A了。這個數(shù)據(jù)是怎么測試出來的？要知道我把12V的電壓短接在D，S之間，瞬間就爆管了。
答：你看到的部分曲線是指管芯封裝無限制，管芯溫度恒定為25°c時的理想電流曲線，IR的一般有測試的，國內的mos一般沒有做測試，基本上是理論曲線。但是TO220或者其他封裝的mos受到封裝限制，實際Id大小分兩種，一是受到封裝的限制，二是受到管芯溫度的限制，你做這個實驗前可以參考IR官網的應用筆記，或者按照pdf上的測試條件做。按你說的，一般是行不通的，假如12v測試電源電流足夠大，當mos完全導通時，其Id會很高，從而導致mos功耗過大損壞，因此你做的實驗沒有什么意義。
另外場效應管G極是不能懸空的，否則極易由于感應電壓，使管子導通，導通時的內阻非常低，如果測試電壓內阻也非常小，必爆管無疑。
場效應晶體管的輸出曲線實例二：
模電如何根據(jù)他們的輸出特性曲線和轉移特性曲線來分場效應管？
通過輸出特性曲線和轉移特性曲線來區(qū)分場效應管前，首先需要了解一個概念，場效應管是壓控型器件，它區(qū)別于雙極型晶體管（流控型器件），場效應管工作時柵極一般只需要一個電壓就可以，電流很小或者為零。所以，要實現(xiàn)這點，結型場效應管和MOS型采用不同的辦法實現(xiàn)了這個效果，導致了其特性曲線不同。
結型場效應管，利用柵極和溝道間的一個反向二極管，并在二極管上施加反向電壓，利用二極管反向工作時，電流很小的特點，實現(xiàn)壓控效果，所以結型場效應管工作時，柵極控制電壓UG總是需要保證那個二極管反向工作，即N溝道，柵極電壓為負，P溝道柵極電壓為正。至于漏極電流的極性，可以通過N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極，電流方向即為負。所以，下圖的曲線就很好記憶了。
而MOS管，直接將柵極與溝道間絕緣阻斷，沒有任何電流通過。所以按正常的正電壓控制N溝道，負電壓控制P溝道的原則。工作時，N溝道柵極電壓為正，P溝道柵極電壓為負。電流方向和結型管的判斷方法一樣，N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極，電流方向即為負。就可以確定MOS管的特性曲線。至于增強型和耗盡型如何區(qū)分，只要看控制曲線與y軸有交叉即可，即，當UG=0時，漏極電流不為零，即為耗盡型，UG=0時，漏極電流為零，即為增強型。如下圖所示。
場效應晶體管的輸出曲線實例三：
根據(jù)場效應管的轉移特性曲線，怎么判斷它是什么類型的溝道？
首先判斷N型還是P型，這個簡單，只要觀察曲線是在坐標上方還是下方，上方就是N型溝道（規(guī)定）；至于是增強型還是耗盡型，也簡單，增強型只在1/4區(qū)間坐標內，而耗盡型一般處于半個坐標內；另外，關于結型還是絕緣柵型則是看曲線幅度，無限接近于坐標軸的是結型，絕緣柵型曲線是有起始點的在坐標軸上，且曲線幅度比較陡。
場效應管根據(jù)導電溝道的有無分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（MOS）兩種主要類型。
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