- EMC測(cè)試暗室介紹
- EMC實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，配置的主要附屬設(shè)備
- EMC暗室量測(cè)系統(tǒng)
在屏蔽室的天花板和四面墻貼上吸波材料，地面的吸波材料采用活動(dòng)式鋪設(shè)，即構(gòu)成EMC實(shí)驗(yàn)室。該EMC暗室（實(shí)驗(yàn)室）為十米法半電波暗室，在30MHz至18GHz的頻率范圍內(nèi)，在3米測(cè)試距離擁有2米靜區(qū)，10米測(cè)試距離擁有3米或更大靜區(qū)，該暗室滿(mǎn)足FCC、CE和VCCI對(duì)十米法暗室的認(rèn)證、測(cè)試要求。
一.用途：
可對(duì)通訊設(shè)備、電子、電氣設(shè)備進(jìn)行電磁兼容（EMC）測(cè)試，即電磁干擾（EMI）和電磁敏感度（EMS）測(cè)試。適用頻率30MHz-18GHz可延至40GHz。
二.主要規(guī)格及性能
1.屏蔽效能，滿(mǎn)足EN50147-1、GB12190-90。
技術(shù)參數(shù)如下：
頻率屏蔽效能
14kHz＞60dB磁場(chǎng)
100kHz＞80dB磁場(chǎng)
100kHz＞100dB電場(chǎng)
1MHz＞100dB磁場(chǎng)
1MHz＞100dB電場(chǎng)
100MHz＞100dB電場(chǎng)
1GHz＞100dB
平面波10GHz＞100dB
微波18GHz＞100dB
微波100MHz＞100dB
電場(chǎng)1GHz＞100dB&nb
2.按照ANSIC63.4-2003的步驟和規(guī)定在直徑3米的圓柱體靜區(qū)內(nèi)所有位置從30MHz至1GHz進(jìn)行歸一化場(chǎng)衰減測(cè)試，按照10米法測(cè)量的歸一化衰減(NSA)值與理論值偏差優(yōu)于±4dB；1GHz至18GHz頻率范圍內(nèi)使用傳輸損耗（TL）測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試，僅在5GHz、10GHz和18GHz三點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試,歸一化衰減(NSA)值與理論值偏差優(yōu)于±4dB。同時(shí)滿(mǎn)足CISPR16、EN50147-2、CISPR22-1997、GB9254-1998、VCCIV-3/99.05標(biāo)準(zhǔn)對(duì)場(chǎng)衰減的要求。
3.按照IEC61000-4-3步驟和規(guī)定，符合EN61000-4-3:1996和GB/T17626.3-1998的要求，在30MHz至1GHz進(jìn)行場(chǎng)均勻度測(cè)試，標(biāo)準(zhǔn)場(chǎng)為轉(zhuǎn)臺(tái)之上0.8米-2.3米范圍內(nèi)1.5米x1.5米的垂直平面，按照3米測(cè)試距離要求16個(gè)測(cè)試點(diǎn)的75%即12點(diǎn)場(chǎng)均勻性在0-6dB之間；1GHz至18GHz的測(cè)試僅在5GHz、10GHz和18GHz三點(diǎn)以低于3v/m進(jìn)行測(cè)試。
4.按照CISPR22ClaasB（GB9254-1998）的規(guī)定，在30MHz-1GHz的頻率范圍內(nèi)，無(wú)EUT的情況下，測(cè)得的環(huán)境電平值，至少低于規(guī)定的B級(jí)限值10dB。
三.在EMC實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，配置的主要附屬設(shè)備
暗室的基本設(shè)施和設(shè)備：
1.屏蔽殼體一間：內(nèi)部尺寸為20m長(zhǎng)×12m寬×8m高，采用美國(guó)拼裝式工藝建造，保證屏蔽效能的同時(shí)，也能保證屏蔽室的堅(jiān)固耐用，并可以整體搬遷或擴(kuò)建。
2.屏蔽門(mén)：全開(kāi)尺寸2.5m*2.5m，手動(dòng)、電動(dòng)或氣動(dòng)開(kāi)啟。
3.波導(dǎo)通風(fēng)口：8個(gè)，尺寸為300mm*300mm
4.電氣系統(tǒng)：300瓦鹵素?zé)?盞，220V/單相/插座，380V/3相/插座
5.電源濾波器：用于EUT、照明、天線(xiàn)塔、轉(zhuǎn)臺(tái)CCTV系統(tǒng)的電源濾波器，可增加電話(huà)濾波器、網(wǎng)絡(luò)濾波器等220VAC/50Hz/單相/2*30A一臺(tái)符合MIL-STD-220A標(biāo)準(zhǔn)，在10MHz～10GHz頻率范圍內(nèi)，插入損失100dB，同時(shí)滿(mǎn)足UL1283標(biāo)準(zhǔn)。
6.接頭及接頭扳：用于連接控制室的設(shè)備，裝設(shè)于高架地板之下。 300mm*300mm接頭扳2個(gè)，有N型接頭，BNC型接頭，SMA型接頭。
7.高架地板：最大承重2000kg，地板面裝有3個(gè)接頭扳，高架地板下有兩個(gè)配線(xiàn)管道，連接接頭扳到地面接頭扳。
8.暗室內(nèi)部四面墻和天花板貼滿(mǎn)鐵氧體瓦，鐵氧體瓦上面再以velcro叉型粘扣帶與魔鬼氈貼微波吸收材料，在鏡面菲涅爾貼上微波吸收材料。地面之吸波材料采用活動(dòng)式設(shè)計(jì)，以滿(mǎn)足抗干擾（EMS）測(cè)試。
9.CCTV：影像及控制需以光纖傳輸，配彩色PAL機(jī)型。可耐100V/M場(chǎng)強(qiáng)，（DC-18MHz頻率范圍）6mm固定攝像機(jī)及腳架一支。可耐100V/M場(chǎng)強(qiáng)，廣角境頭，焦距、遠(yuǎn)近、光圈大小及上下左右可調(diào)整的攝像機(jī)。攝像機(jī)控制器一臺(tái)，它通過(guò)光纖與攝像機(jī)連結(jié)，控制攝像頭上下左右移動(dòng)，變焦、聚焦。17英寸彩色監(jiān)示器一套。
EMC暗室量測(cè)系統(tǒng)
1.待測(cè)物轉(zhuǎn)臺(tái);
尺寸：直徑3米
材質(zhì)：金屬結(jié)構(gòu)、金屬臺(tái)面
載重：2000kg
控制：電驅(qū)動(dòng)、定位及轉(zhuǎn)速由室外遙控
旋轉(zhuǎn)角度：順時(shí)針及逆時(shí)針各可旋轉(zhuǎn)360度，定位誤差優(yōu)于±1º
轉(zhuǎn)臺(tái)全是光纖控制，避免引入電磁干擾
2.天線(xiàn)架（天線(xiàn)升降塔）：
材質(zhì)：FRP
尺寸：高6.3米，垂直調(diào)控距離優(yōu)于1.0-6.0米
萬(wàn)用天線(xiàn)夾具及收線(xiàn)機(jī)
控制：控制器以光纖遙控天線(xiàn)架
具有氣動(dòng)極向變換位置
光纖傳輸3.雙通道控制器一臺(tái)：控制轉(zhuǎn)臺(tái)和天線(xiàn)架移動(dòng)
4.EMI測(cè)試軟件一套
暗室是模擬開(kāi)闊場(chǎng)而進(jìn)行EMC測(cè)試的，并提供一個(gè)電磁背景干凈、場(chǎng)均勻性好的一個(gè)測(cè)試場(chǎng)地。吸收微波只是吸波材料的特性而已。暗室使用頻率一般在10KHz~40GHz左右。暗室吸波材料通常是用鐵氧體加聚氨酯泡沫尖劈吸波材料組成的復(fù)合材料，鐵氧體用于1GHz以下，最佳在500MHz以下；聚氨酯泡沫尖劈吸波材料通常適用于450MHz以上，耐高溫、高場(chǎng)強(qiáng)。
為滿(mǎn)足30MHz～18GHz的歸一化場(chǎng)地衰減要求，通常暗室需采用鐵氧體片與滲碳泡沫角錐或空心角錐復(fù)合型的寬帶吸波材料。
根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，對(duì)于10m法暗室，為滿(mǎn)足歸一化場(chǎng)地衰減偏差≤±4dB要求，吸波材料在30～1000MHz垂直入射時(shí)反射系數(shù)應(yīng)小于-20dB，45°入射角時(shí)小于-15dB。對(duì)于1～40GHz頻率范圍，吸波材料垂直入射及45°角入射的反射系數(shù)也應(yīng)不高于上述數(shù)值。
關(guān)于復(fù)合型寬帶吸波材料，要注意以下兩點(diǎn)：
a)與鐵氧體片組合的滲碳聚氨酯泡沫角錐，其含碳量不同于單獨(dú)使用的角錐，對(duì)于這點(diǎn)，國(guó)內(nèi)第一次（1995年）研制復(fù)合型吸波材料時(shí)并不清楚，而是沿用常規(guī)的角錐吸波材料的含碳量配方。
b)復(fù)合型吸波材料與屏蔽室之間宜加一層膠合板。根據(jù)國(guó)外文獻(xiàn)報(bào)道，增加這層電介質(zhì)（膠合板）對(duì)改善反射系數(shù)是有益的。
沒(méi)有下面的鐵氧體和膠合板的暗室一般是用來(lái)測(cè)試天線(xiàn)的微波暗室，這個(gè)EMC暗室不一樣，EMC暗室必須要有鐵氧體
1）EMC暗室模擬開(kāi)闊場(chǎng)，也就是說(shuō)五個(gè)面是沒(méi)有任何障礙物，所以EMC暗室五個(gè)面要粘貼吸波材料，吸收電磁波，防止反射；而微波暗室是模擬自由空間，因此六個(gè)面都要粘貼吸波材料；
2）測(cè)試原理不一樣，EMC測(cè)試接收能量是通過(guò)空間直射和地面反射疊加值，而微波暗室是直接發(fā)射接收到的值；
