產品特性：
- FDMA1027是20V P溝道PowerTrench MOSFET
- FDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管
- 采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝
- 提供卓越的功率消耗和降低傳導損耗
- 能夠耗散1.4W功率
- 符合RoHS和無鉛回流焊的要求
應用范圍：
- 便攜應用
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產品如手機的超薄外形尺寸需求。
FDMA1027和FDFMA2P853專為更高效率而設計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導體專有的PowerTrench MOSFET工藝，能降低傳導和開關損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導損耗。與采用2mm x 2mm SC-70封裝類似尺寸的器件比較，F(xiàn)DMA1027和FDFMA2P853提供更低的傳導損耗 (降低約60%)，并且能夠耗散1.4W功率，而SC-70封裝器件的功率消耗則為300mW。
飛兆半導體的MicroFET系列提供了具吸引力的優(yōu)勢如緊湊型封裝和高性能，能夠滿足電池充電、負載轉換、升壓和DC-DC轉換的需求。
FDMA1027和FDFMA2P853采用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產品均滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS) 的要求。
