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電磁隔離技術與控制需求同步發(fā)展
電子系統(tǒng)設計中存在兩種不同的趨勢，二者均支持電機的電子系統(tǒng)。一方面是向千伏級別發(fā)展的發(fā)電和電氣分配子系統(tǒng)。另一方面是高速MCU，能夠實現(xiàn)先進算法以優(yōu)化系統(tǒng)性能，并在接近1V的電壓下運行。
2024-07-11
電磁隔離技術 電子系統(tǒng)設計 脈沖寬度調制
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如何解決單芯片驅動HB/LB/DRL,LED負載切換電流過沖？
隨著汽車照明技術的成熟，LED汽車照明已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)鹵素燈，汽車前照燈正朝著智能化，小型化，高效節(jié)能的方向不斷發(fā)展。在車輛日益智能的當今，汽車前組合燈根據(jù)功能細分成遠光燈，近光燈、日行燈，轉向燈，角燈，霧燈等多個燈組 。這些燈組由于車燈結構和制造要求，都集中在一塊區(qū)域。不同的...
2024-07-11
單芯片驅動 LED負載 電流
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評估分布式雷達架構的四個理由
汽車制造商正積極研究多元化的雷達技術方案，以提升新一代高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)架構的性能和系統(tǒng)優(yōu)化，同時簡化向軟件定義汽車(SDV)的過渡。為助力汽車制造商進行開發(fā)，恩智浦PurpleBox參考設計應運而生。
2024-07-11
分布式雷達架構
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AC-DC控制器PCB布局指南
在65W~150W 輸出功率范圍應用下，CrM PFC + QR Flyback 拓樸是非常普遍被選用的架構，在小型化集成線路趨勢下，QR combo 控制芯片應運而生。 另外對于消費型電子產(chǎn)品，不僅能效需要符合法規(guī)的要求，其待機損耗也是相當重要的評判指標。
2024-07-10
AC-DC控制器 PCB
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內，而數(shù)字內容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點幾何尺寸較大，約在180 nm或更...
2024-07-09
RF ADC 電源軌 電源域
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產(chǎn)生傳導型 EMI。在開...
2024-07-08
功率器件模塊 EMI
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利用 I3C 提升嵌入式系統(tǒng)
物聯(lián)網(wǎng)幾乎涉及我們日常生活的方方面面，從家用電器到復雜的樓宇自動化和可穿戴設備。這些互聯(lián)設備收集和交換數(shù)據(jù)，從根本上塑造了我們的數(shù)字生態(tài)系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)設備中，不同類型的傳感器發(fā)揮著關鍵作用，測量、監(jiān)控和傳遞溫度、濕度、壓力和距離等關鍵物理屬性。
2024-07-08
I3C 嵌入式系統(tǒng)
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氮化鎵（GaN）的最新技術進展
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術如何顛覆整個...
2024-07-05
氮化鎵 GaN
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為邊緣 AI 節(jié)點供電：邊緣 AI 對供電系統(tǒng)設計的影響
邊緣 AI 是將 AI 模型直接部署在位于網(wǎng)絡邊緣的設備上；此舉可通過采用設備上的處理功能來實現(xiàn)低延遲響應，從而減少對云計算的依賴。若將邊緣 AI 添加到物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)（構成 AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）系統(tǒng)的組合）中，則還可以分析傳感器數(shù)據(jù)、識別模式、得出推論并在本地層面做出決策，從而盡量減少數(shù)據(jù)...
2024-07-05
邊緣 AI 供電系統(tǒng) 節(jié)點供電
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