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IHLP-2020BZ-01：Vishay 2020封裝IHLP超薄、高電流電感器
Vishay宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP超薄、髙電流電感器。這款小型 IHLP-2020BZ-01具有 5.18mm×5.49mm 的占位面積、2.0mm 的超薄厚度、較高的最大頻率，以及 0.1μH～10μH 的標(biāo)準(zhǔn)電感值。
2008-06-27
IHLP-2020BZ-01 電感器 IHLP
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IHLP-2020BZ-01：Vishay 2020封裝IHLP超薄、高電流電感器
Vishay宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP超薄、髙電流電感器。這款小型 IHLP-2020BZ-01具有 5.18mm×5.49mm 的占位面積、2.0mm 的超薄厚度、較高的最大頻率，以及 0.1μH～10μH 的標(biāo)準(zhǔn)電感值。
2008-06-27
IHLP-2020BZ-01 電感器 IHLP
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負載壽命穩(wěn)定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負載壽命穩(wěn)定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻
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TSHG*系列：Vishay 新型高功率850nm紅外發(fā)射器
Vishay推出采用 5mm 帶引線封裝的新一代 850nm 紅外發(fā)射器，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。TSHG5210 與 TSHG6210 具有 ±10°視角，而 TSHG5410 與 TSHG6x10 器件具有±18°視角。它們具有極高的輻射強度以及極低的正向電壓。
2008-06-25
TSHG5410 TSHG6x10 TSHG5210 TSHG6210 紅外發(fā)射器
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動快速，抗振動、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動快速，抗振動、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
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ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF設(shè)備和便攜應(yīng)用ESD保護產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護平臺設(shè) 計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。
2008-06-23
ESD保護 ESD7L5.0 NUP4212 便攜應(yīng)用 RF天線
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ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF設(shè)備和便攜應(yīng)用ESD保護產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護平臺設(shè) 計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。
2008-06-23
ESD保護 ESD7L5.0 NUP4212 便攜應(yīng)用 RF天線
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