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電線電纜產品制造的工藝特性
電線電纜的制造工藝和專用設備的發展密切相關，互相促進。新工藝要求，促進新專用設備的產生和發展；反過來，新專用設備的開發，又提高促進了新工藝的推廣和應用。如拉絲、退火、擠出串聯線；物理發泡生產線等專用設備，促進了電線電纜制造工藝的發展和提高，提高了電纜的產品質量和生產效率。本文...
2010-05-12
電線 電纜 拉制 包覆
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安森美半導體榮獲龍旗控股頒發 “優秀供應商”獎
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領先的無線通訊技術產品和服務提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發的“2009年度優秀供應商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產品 “優秀供應商”獎
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安森美半導體榮獲龍旗控股頒發 “優秀供應商”獎
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領先的無線通訊技術產品和服務提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發的“2009年度優秀供應商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產品 “優秀供應商”獎
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安森美半導體榮獲龍旗控股頒發 “優秀供應商”獎
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領先的無線通訊技術產品和服務提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發的“2009年度優秀供應商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產品 “優秀供應商”獎
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ST發布高性能功率封裝 可提高MDmesh V功率密度
功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導體 ST MOSFET MDmesh? V
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ST發布高性能功率封裝 可提高MDmesh V功率密度
功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導體 ST MOSFET MDmesh? V
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ST發布高性能功率封裝 可提高MDmesh V功率密度
功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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