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電路設(shè)計及EMC器件選擇
在新設(shè)計及開發(fā)項目的開始，正確選擇有源與無源器件及完善的電路設(shè)計技術(shù)，將有利于以最低的成本獲得EMC認證，減少產(chǎn)品因屏蔽和濾波所帶來的額外的成本、體積和重量。 這些技術(shù)也可以提高數(shù)字信號的完整性及模擬信號信噪比，可以減少重復(fù)使用硬件及軟件至少一次，這也將有助于新產(chǎn)品達到其功能技術(shù)...
2011-10-08
電路 EMC 電磁兼容 器件
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開關(guān)電源PCB 電磁兼容性的建模分析
開關(guān)型變換器噪聲的干擾路徑為干擾源和被干擾設(shè)備提供了耦合條件，對其共模干擾和差模干擾的研究尤為重要。本文主要分析了電路主要元器件的高頻模型以及共模和差模噪聲的電路模型，為開關(guān)電源PCB 的EMC 優(yōu)化設(shè)計提供有益的幫助。
2011-10-08
開關(guān)電源 PCB 電磁兼容 共模干擾 差模干擾
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開關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動
開關(guān)電源中的開關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來說是一個非常復(fù)雜的過程，但我們在進行工作原理分析的時候，一般都會先對一些非主要問題進行簡單化。例如，當(dāng)電源開關(guān)管導(dǎo)通或截止的時候，我們就把它看成是一個理想的開關(guān)，其工作時只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實際上開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個很復(fù)雜的過程...
2011-10-07
開關(guān)電源 開關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長，新開工項目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過去年11個月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開工項目明顯增多，帶動全行業(yè)新開工項目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
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2011年硅磁傳感器銷售額預(yù)計增長24%
據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報告，汽車產(chǎn)業(yè)恢復(fù)生機，全球智能手機和平板電腦對于數(shù)字羅盤的需求上升，正在推動硅磁傳感器市場加速增長，預(yù)計2011年銷售額將上升23.7%。
2011-10-05
硅磁傳感器 傳感器 MEMS
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半導(dǎo)體庫存進一步提升 產(chǎn)能過剩警報響起
研究機構(gòu)Gartner表示，2011年三季度半導(dǎo)體庫存將進一步提升，達到“令人擔(dān)憂”的水平?！罢麄€行業(yè)產(chǎn)能過剩的警報已經(jīng)開始響起。”全球第三大半導(dǎo)體代工企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)首席執(zhí)行官AjitManocha明確指出?！?/p>
2011-10-04
半導(dǎo)體 產(chǎn)能 半導(dǎo)體封測
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LED點彩壓階傳輸技術(shù)
LED全彩單總線信號驅(qū)動IC在工程應(yīng)用上給工程設(shè)計人員帶來了更多的信心。壓階傳輸技術(shù)應(yīng)用在單線傳輸技術(shù)基礎(chǔ)上，就顯得格外的簡便，下面我們就以LED全彩單總線驅(qū)動IC—CYT3015為驅(qū)動芯片，來介紹壓階傳輸技術(shù)在LED點彩技術(shù)的應(yīng)用。
2011-09-30
LED 壓階傳輸 壓階 LED點彩
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超級電容器的壽命分析
本文提出了高溫對超級電容器壽命的影響超出預(yù)想的原因并分析了不同的封裝形式在高溫條件下的實際壽命以及壽命減半的溫度差；給出了實際電壓與壽命的相對關(guān)系；分析了不同形式的單體電壓均衡的效果。
2011-09-30
電容 電容器 超級電容器
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