【導讀】2021年開局至今，整個存儲行業可以用“兇猛”來形容，漲價兇猛、缺貨兇猛。受供應鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費用大幅上漲、投產周期延長等因素影響，導致產品成本大幅上升，不少芯片企業紛紛發出漲價通告。
2021年開局至今，整個存儲行業可以用“兇猛”來形容，漲價兇猛、缺貨兇猛。受供應鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費用大幅上漲、投產周期延長等因素影響，導致產品成本大幅上升，不少芯片企業紛紛發出漲價通告。
目前，存儲行業的高景氣度現象持續爆發，產業普遍出現超額下單情況，甚至競標得晶圓產能等。未來，存儲市場走勢如何，持續多久，讓我們靜觀其變。
話不多說，先來一覽存儲大廠最新市場動向。
：三星在2021年仍保持相當積極的產能擴張計劃，而西安的晶圓二廠便是其中重點。三星轉移到128L的過程有些延遲，但在2021年的主力仍是92L堆棧工藝。
：KIOXIA和Western Digital宣布，已經共同開發了第六代162層3D閃存技術。96L BiCS4的堆迭工藝將成為Western Digital今年制造NAND Flash的主要技術。
：SK海力士也持續積極提高NAND Flash堆棧的層數。2021年起也有望開始量產176L的產品。
：目前鎂光主要的堆棧制程仍為96L，2021上半年將加速轉移到176L；因此美光也將128L制程視為是臨時過渡期技術。
：目前KIOXIA大部分的NAND Flash產品仍采用96L BiCS4的制程生產。展望未來，KIOXIA計劃今年要提高112L BiCS5產品的出貨量。
：Intel計劃直接從64L制程升級到144L。此外，即使Intel仍在開發TLC產品，其產品組合也會傾向于QLC架構。
閃存2020-2021年供給/滿足率
滿足率: 供給至Q2底仍將不足
庫存: 低于正常水位
價格趨勢: 256Gb TLC合約價至2021年底將維持上漲態勢
控制器與被動組件: 2021整年將持續短缺，臺積電刪減了更多給控制器廠商的晶圓供應
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依應用分析全球NAND Flash需求比重
依應用分析2021 Q2 NAND Flash需求比重，前三名為:
Top 1：手持式裝置
Top 2：PC用SSD
Top 3：企業級SSD
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2020-2021年DDR4價格趨勢
內存滿足率: 供不應求
庫存: 緊張
價格趨勢: 持續上漲
由于DRAM IC供不應求，價格自2021年Q1就開始上漲，且將持續到2021年底。
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關于工業級5G應用
與4G相比，5G技術擁有超高傳輸速度與超低延遲的優勢，可加速各項物聯網應用的發展，包括5G基礎建設（基站）、邊緣計算、云服務、AI人工智能（深度學習）、智慧工廠、車載應用、醫療照護等領域。
為滿足不同5G裝置的存儲與運算需求，威剛提供一系列規格完整的工業級Flash存儲產品（SSD、DOM、記憶卡、嵌入式存儲卡），以及DDR4內存。
除了性能優異，還支持多項技術，如威剛獨家開發的A+SLC技術、PLP（斷電保護）、抗硫化、耐寬溫（-40ºC至85ºC），確保產品耐用性及傳輸穩定性。
此外，威剛還有專業的軟件與固件研發團隊，能根據客戶需求進行定制化服務，量身打造理想的解決方案。
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5G應用 – 閃存解決方案推薦
閃存重點技術
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威剛閃存解決方案
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5G應用 – 內存解決方案推薦
內存重點技術
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威剛內存解決方案
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