【導讀】ROHM采用全新工藝方法，開發出超越微細化界限的世界最小元器件“RASMID™系列”，有助于移動設備進一步小型化。本文從ROHM的RASMID™系列的特點、二極管的小型化歷史等方面進行介紹。
近年來，伴隨著各種設備的高性能化發展，對元器件小型化的需求日益高漲。在這種背景下，ROHM很早就開始利用獨創的微細化技術，不斷推進元器件小型化的技術創新。
2011年，ROHM開發出低于被稱為微細化界限的0402（0.4mm×0.2mm）尺寸的世界最小※貼片電阻器（0.3mm×0.15mm）；2012年，又開發出世界最小※半導體---齊納二極管（0.4mm×0.2mm）。
圖1：與0.5mm粗細的自動鉛筆芯對比
此次，產品陣容中不僅新增了0402肖特基勢壘二極管（SBD），更是即將迎來03015貼片電阻器的量產。
ROHM將這些采用與傳統截然不同的新工藝方法實現了小型化、以驚人的尺寸精度（±10μm）為豪的世界最小元器件定位為RASMID™（ROHM Advanced Smart Micro Device）系列。
今后，ROHM依然會繼續推進產品的小型化開發，并進行包括安裝技術在內的更加實用的技術開發，不斷擴充本系列產品的產品陣容，為實現設備的進一步小型化而貢獻力量。
※截至2013年9月19日 ROHM調查數據
＜ROHM的RASMID™系列＞
采用與傳統截然不同的新工藝方法實現了小型化，以驚人的尺寸精度（±10μm）為豪的世界最小※元器件系列
■0402（0.4mm×0.2mm）尺寸的肖特基勢壘二極管
與以往的0603尺寸產品相比，尺寸成功減少了 82％（體積比）
計劃從2013年10月份開始出售樣品，2014年1月份開始量產
■03015（0.3mm×0.15mm）尺寸的電阻器
與以往的0402尺寸產品相比，尺寸成功減少了56％（體積比）
已于2012年1月份開始出售樣品，計劃從2013年10月份開始量產
■0201（0.2mm×0.1mm）尺寸的電阻器
在03015尺寸產品的基礎上，尺寸成功再降68％（體積比）
計劃從2014年10月份開始出售樣品
本產品將在2013年11月16日～21日于深圳會展中心舉行的“第十五屆中國國際高新技術成果交易會（ELEXCON2013）”ROHM展區展出（展位號：2號館 2B62）。歡迎蒞臨體驗！
＜0402（0.4mm×0.2mm）尺寸的肖特基勢壘二極管＞
ROHM采用RASMID™系列特有的新工藝方法，面向智能手機等移動設備，開發出可高密度貼裝的世界最小※級別肖特基勢壘二極管0402尺寸（0.4mm×0.2mm）產品。
圖2：0402（0.4mm×0.2mm）尺寸的肖特基勢壘二極管
該產品的生產基地位于ROHM Apollo Device Co., Ltd.（日本福岡縣），預計從2013年10月份開始出售樣品（樣品價格：20日元），從2014年1月份開始暫以月產500萬個的規模投入量產。
1．通過獨創的工藝技術，實現了世界最小※的0402尺寸（0.4 mm×0.2 mm）
本產品與以往的0603尺寸（0.6mm×0.3mm）產品相比，尺寸成功再降82％。非常有助于以智能手機為首的手機、DSC等要求小型、輕薄化的所有設備的高性能化與小型化。
2．正向電壓（VF）等主要電氣特性與“0603尺寸”保持同等
一般來說，二極管的芯片微細化與電氣特性成相反關系。ROHM為打破這種相反關系，采用獨家的芯片元件結構與超精密加工技術，不僅正向電壓(VF)等主要電氣特性與以往產品（0603尺寸）保持同等，而且還可實現超小型化、超輕薄化。
表1：正向電壓（VF）等主要電氣特性與“0603尺寸”保持同等
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3．芯片的尺寸精度由±20μm大幅提升到±10μm
圖3：芯片的尺寸精度由±20μm大幅提升到±10μm
4．二極管的小型化歷史
圖4：二極管的小型化歷史
＜03015（0.3mm×0.15mm）尺寸的電阻器＞
RASMID™系列不是單純追求產品的小型化，而是進行了包括安裝技術在內的更加實用的技術開發。不僅尺寸精度取得了±10μm以下的驕人成果，ROHM還就新尺寸03015產品，與貼裝機廠家密切合作，提供大量樣品進行實機安裝評估，實現了“零”不良率。作為世界最小※的貼片電阻器，該產品將于2013年10月份開始以月產5000萬個的規模投入量產。生產基地為ROHM Apollo Device Co., Ltd.（日本福岡縣）。
圖5：03015（0.3mm×0.15mm）尺寸的電阻器
另外，為了進一步為設備的小型化做貢獻，ROHM還正在推進0201（0.2mm×0.1mm）尺寸產品的開發。
1．采用獨創的工藝技術，實現世界最小※的03015尺寸（0.3 mm×0.15 mm）
表2：采用獨創的工藝技術，實現世界最小※的03015尺寸
※截至2013年9月19日 ROHM調查數據
2．芯片的尺寸精度由±20μm大幅提升到±10μm
圖6：芯片的尺寸精度由±20μm大幅提升到±10μm
3．電阻器的小型化歷史
圖7：電阻器的小型化歷史
