【導讀】IGBT關斷損耗大、拖尾嚴重制約了其在高頻運用的發展，而造成IGBT延遲開和關的原因主要有兩方面。本文將分別針對這兩方面，提出相應的解決方法，解決器件拖尾問題，提升IGBT開關速度。
IGBT關斷損耗大、拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩方面構成：
1）IGBT的主導器件—GTR的基區儲存電荷問題。
2）柵寄生電阻和柵驅動電荷，構成了RC延遲網絡，造成IGBT延遲開和關。
這里，首先討論原因一的解決方法。解決電路見圖（1）。
圖1：提升IGBT開關速度技巧（一）
所謂基區儲存效應造成的拖尾，是由于GTR過度飽和，基區N過度轉換成P型。在關斷時，由于P型半導體需要復合成本征甚至N型，這一過程造成了器件的拖尾。
圖2：提升IGBT開關速度技巧（二）
這種方式已經在邏輯IC里盛行。現在的超高速邏輯電路都采用這種結構，包括電腦中的CPU！我們已享用此原理，卻并不知道。
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