- 最大RDS(ON)值為25mΩ
- 柵極施加電壓是5V
- 高速DC/DC電源
- 負載點轉(zhuǎn)換器
- D類音頻放大器
- 硬件開關(guān)和高頻電路
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出了第二代eGaN場效應(yīng)晶體管(FET)系列產(chǎn)品中的最新成員EPC2010，具更卓越性能，不僅環(huán)保、不含鉛，而且符合RoHS(有害物質(zhì)限制)指令。
EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值為25mΩ，柵極施加電壓是5V。這種eGaN FET與第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明顯的性能優(yōu)勢。
EPC2010將脈沖電流額定值提高到60A(而EPC1010為40A)，并且改進了很低柵極電壓時的RDS(ON)值，電容值也更低。
與具有相同導(dǎo)通電阻值的先進硅功率MOSFET相比，EPC2010體積更小，開關(guān)性能更高出許多倍。受益于更高性能eGaN FET的應(yīng)用很多，其中包括高速DC/DC電源、負載點轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬件開關(guān)和高頻電路。
“宜普是第一家實現(xiàn)氮化鎵功率場效應(yīng)晶體管商用化的公司。隨著第二代產(chǎn)品的推出，宜普進一步提升了氮化鎵場效應(yīng)晶體管的性能標(biāo)桿。另外，宜普的新一代eGaN產(chǎn)品也是首個無鉛化且符合RoHS的氮化鎵場效應(yīng)晶體管。” 宜普公司合夥創(chuàng)始人及首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。
