- 通過AEC-Q200認(rèn)證的146 CTI電容器兼具+125℃的高溫性能、低至0.035?的ESR
- 具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積
- 汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子等各方面應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進(jìn)行展示，是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富。
2011年的Super 12產(chǎn)品如下：
• 146 CTI SMD極化鋁電容器——對于汽車應(yīng)用，通過AEC-Q200認(rèn)證的146 CTI電容器兼具+125℃的高溫性能、低至0.035?的ESR，及在+125℃下長達(dá)6000小時的使用壽命。器件具有從10mmx10mm至18mmx21mm共8種外形尺寸。
• SiR662DP 60 V N溝道功率MOSFET——在采用PowerPAK® SO-8型封裝的60V器件當(dāng)中，SiR662DP具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積（FOM）。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻為3.5m?，比最接近的器件低27%，在4.5V下的FOM為105m?-nC，比最接近的器件低57%。
• IHLP®-6767GZ-51功率電感器——IHLP-6767GZ-51是目前市場上具有最高的溫度范圍（高達(dá)+155℃）和最高電流等級的表面貼裝功率電感器。器件的頻率范圍高達(dá)750kHz，典型DCR低至0.89m?，感值低至0.47μH。
• 45V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器——除P600軸向、功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO263AB封裝外，Vishay的45V TMBS整流器還具有典型高度只有1.1mm的非常薄的封裝。器件在15A和+125℃條件下具有0.39V的正向電壓，最高工作結(jié)溫可達(dá)+150℃。
• ACAS AT薄膜芯片電阻陣列——Vishay的ACAS AT電阻陣列通過了AEC-Q200認(rèn)證，在單片封裝內(nèi)具有精度相互匹配的電阻，可用于分壓器和反饋電路。器件每個電阻的功率等級(P70)高達(dá)125mW，潮濕敏感度低于0.5%(85℃；85%RH；56天)，TCR跟蹤低至10ppm/K (±5 ppm/K)。
• VCNL4000全集成型接近/環(huán)境光傳感器——VCNL4000是業(yè)內(nèi)首款將紅外發(fā)射器、光敏PIN二極管、環(huán)境光探測器、信號處理IC和16位ADC裝進(jìn)3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm的小尺寸無引線(LLP)表面貼裝封裝內(nèi)的環(huán)境光傳感器。這款器件具有占用空間小的特點(diǎn)，并且具有易用的I2C總線通信接口，在各種各樣的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用中能夠大大簡化設(shè)計。
• NTC Mini Lug傳感器——Vishay的Mini Lug NTC傳感器只需要業(yè)內(nèi)最小的65mm2 / 0.1in2安裝空間，響應(yīng)時間小于4秒，能夠快速和準(zhǔn)確地測量-40℃～+125℃范圍內(nèi)的溫度。
• DG9454三端SPDT（2:1復(fù)用器）——DG9454為3D快門式眼鏡進(jìn)行了優(yōu)化，在2.7V～12V的V+和2.5V～+5.5V的VL工作電壓范圍內(nèi)可確保兼容1.8V的邏輯電平，小于1µA的功耗能夠大大延長電池壽命。
• TP3TANTAMOUNT®模壓外殼SMD電容器——汽車級的TP3具有牢固的結(jié)構(gòu)和低ESR，適用于引擎控制和安全系統(tǒng)。電容器經(jīng)過了100%的浪涌電流測試，提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的A～E外形尺寸，以及擴(kuò)大了容值和電壓范圍的新的W外形尺寸。
• 600V FRED Pt超快恢復(fù)二極管——對于DCM、CRM和CCM PFC應(yīng)用，Vishay的600V超快恢復(fù)二極管能夠提供豐富多樣的功率封裝和高達(dá)+175℃的工作結(jié)溫，可實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)固和更具性價比的設(shè)計方案。器件具有極低的泄漏電流、正向電壓等級，以及Qrr和Trr。新的“U”系列采用了特殊設(shè)計，具有超快的軟恢復(fù)時間。
• WSLP、WSLT、WSLS和WSH Power Metal Strip®電阻——Vishay的Power Metal Strip電阻為檢流和脈沖應(yīng)用提供了增強(qiáng)的功率處理能力和環(huán)境性能。WSLT電阻可在+275℃溫度下工作。采用1206和2818外形尺寸的WSLP和WSH電阻分別具有高達(dá)1W和5W的功率。WSLS具有更好的穩(wěn)定性，可達(dá)0.25%和0.5%。
• SiZ730DT非對稱雙芯片功率MOSFET——SiZ730DT將高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸6mmx3.7mm的PowerPAIR封裝內(nèi)，這種封裝比兩片分立的PowerPAK 1212-8封裝小1/3，比兩片分立的SO-8封裝小2/3，從而節(jié)省空間并提高性能。此外，器件的非對稱設(shè)計使導(dǎo)通電阻比使用PowerPAK 1212-8封裝的低邊MOSFET低30%。
