- 100ppm 的總頻率誤差
- 支持標準CMOS 工藝
- 獨特的模擬核設計
- 具有 200nA的低功耗待機模式
- 100μs的快速啟動時間
- 適合服務器和企業設計
- 適合采用以太網端口的數據通信設備
致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）宣布，推出業界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器，在整個溫度、電壓和其他因數方面實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。
IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術，可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器，并采用非常薄的外形，而無需使用任何機械頻率源或鎖相環（PLL）。該產品專門用于下一代存儲、數據通信和連接接口，如千兆以太網、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。該產品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案，因此非常適合服務器和企業設計，以及采用以太網端口的數據通信設備。
IDT 通信事業部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示：“憑借其 100ppm 的總頻率誤差，IDT3C02不愧為計時行業的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇，它擴展了今年早些時候發布的晶圓形式全硅 CMOS 振蕩器，擴展了 IDT 在計時領域的領導地位。”
IDT3C02 振蕩器可產生高精度的片上頻率，而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標準的現成可用的 CMOS 工藝，采用了可編程架構，支持各種配置選項，以適應廣泛的應用范圍。也許這些選項中最為關鍵的是工廠可編程的工作頻率，與傳統的石英解決方案相比，有助于縮短交貨時間，包括特殊或罕見的頻率。
此外，IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設計，其功耗低于 2.5mA（空載典型值），從而為基于石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案，同時在 1MHz 載波偏移條件下實現了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業界標準的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝，即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝，無需陶瓷密封的封裝。
IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機模式，以及 100μs（典型值）的快速啟動時間。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設計，允許頻繁的開關電源以進一步節省功耗。由于該器件不包含任何運動元件，且不使用機械或壓電電子諧振來產生電子頻率，全硅的單片方案實現了優良的耐沖擊和振動能力。
供貨情況
IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品，采用的是 5×3.2mm 封裝。
