- 晶圓處理能力未能大幅提高
- 半導(dǎo)體超滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)
- 半導(dǎo)體整體為同比（YoY）減少0.2％
- 環(huán)比（QoQ）增長0.6％
日前，國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開始了增產(chǎn)投資，但因老生產(chǎn)線廢棄，晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下，由于晶圓投入量增加，半導(dǎo)體的整體開工率達到了可以說是滿負(fù)荷的95％以上。一部分甚至超過了98％，呈 “超滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)”狀態(tài)。
晶圓處理能力方面，半導(dǎo)體整體為同比（YoY）減少0.2％，環(huán)比（QoQ）增長0.6％，MOS IC整體為同比增長0.1％，環(huán)比增長0.6％，繼續(xù)持平。旨在從0.12～0.06μm生產(chǎn)線向0.06μm以下生產(chǎn)線過渡的細(xì)微化投資十分活躍，但是為擴大晶圓處理能力的增產(chǎn)投資卻稍顯遜色：其沖抵了老生產(chǎn)線廢棄導(dǎo)致的晶圓處理能力下降。增產(chǎn)投資的實施，從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)看，主要是硅代工廠商，從晶圓直徑來看，主要面向300mm晶圓進行。而在硅代工廠商之外的垂直整合型半導(dǎo)體廠商（IDM）因進行重組，廢棄了200mm以下的量產(chǎn)線。
晶圓的實際投入量方面，除部分特例外，均持續(xù)了YoY增20～30％、QoQ增近10％的增長率。其中，從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)來看，硅代工廠商的增長率比較顯著，而從工藝技術(shù)來看，60nm以下工藝的增長率較為顯著。硅代工廠商的投入量為YoY增67.8％，QoQ增10.6％，達到40萬2200 片/周（以200mm晶圓換算，下同）。60nm以下工藝晶圓的投入量為QoQ增13.0％，達到78萬500片/周。
綜上所述，半導(dǎo)體整體的量產(chǎn)線開工率為YoY增18.6個百分點，QoQ增2.1個百分點，達到95.6％，MOS IC整體為YoY增17.1個百分點，QoQ增長2.5個百分點，達到95.7％，均超過了95％。尤其是需求量較大的80nm以下工藝、300mm晶圓以及硅代工廠商的開工率更是達到了超過98％的“超滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)”狀態(tài)。
