機遇與挑戰：
- 中國半導體業又重新開始沖剌
- 半導體業是電子工業基礎
市場數據：
- 上海華力12英寸項目啟動及中芯國際擴充北京12英寸生產線產能至4.5萬片
- 可能在北京再建一條12英寸生產線
沉寂了一段時間后，中國半導體業又重新開始沖剌，表現為上海華力12英寸項目啟動及中芯國際擴充北京12英寸生產線產能至4.5萬片，包括可能在北京再建一條12英寸生產線等。
然而，從國外媒體來的訊息表示的觀點有些不同。如美國InformaTIon Network認為中國半導體業在政府資金支持下，在未來的5年內將投資250億美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市場分析公司對于投資的回報率存有質疑，其實這一切才是正常的。因為中國半導體業是屬于戰略產業，不是完全可用市場機制，單一的經濟規律來解釋得通。
中國半導體業的重要地位
站在國家利益角度，進行半導體業突破是必須的，因為半導體業是電子工業基礎，它的成功能反映中國電子工業的基礎水平。
從全球范圍看半導體業是壟斷性產業，除美，日本之外，主要集中在韓國及臺灣地區。而那些第一世界中的發達國家如英、法、意大利等并沒都有自已的半導體業。那就要問中國為什么一定要搞半導體業，能否也是“拿來主義”?答案是肯定的，由于國情不同，中國一定要有自已的半導體業。
而且，還有一個非常特殊的問題，即在發展高科技，包括半導體業中，西方有一個瓦圣納條約，專門用來對付中國等國家，所謂出口高技術有限制，通常是N-2，即要落后于西方兩代以上的技術才能出口到中國。千萬不要忽視，這是阻礙中國半導體業進步的重要因素之一，所以中央領導每次與美國對陣，總是提出希望放寬高技術出口限制，然而美國等總是拿這張牌來要挾我們。
另外，為什么說發展半導體業是電子工業的基礎。因為傳統工業中使用材料的純度通常是99%-99.99%，而在半導體業中如今使用的硅材料達 99.9999999%，即9個“9”，所以為了減少污染，半導體制造工藝中所使用各種氣體，水，試劑，包括金屬材料等，也必須達到9個“9”的純度要求，相當于把整個工業基礎水平由“工業級”提高到“電子級”。所以發展半導體業能帶動整個電子工業的基礎水平提升。
正如大連市長戴玉林的切身體會，越來越覺得英特爾帶給大連的，絕不止于即將產生的巨大產值、稅收和各種經濟效益。比如他認為，英特爾來后大連市發生的一個重要變化，是將基礎設施的規劃設計水準提高到了國際一流。現在到大連開發區考察的企業對水、電、氣等基礎設施基本不怎么過問，“因為他們知道英特爾在這里，基礎設施方面就不會有任何問題”。當初對于工廠的供電，英特爾提的要求是“采用雙回路”、“供電連續性要達到99.9999%”，后者的意思是一年365天中停電時間不能超過15分鐘。
由此，發展中國半導體業的重要地位已十分清晰，目前引進技術十分必要，可以節省時間，但是不可能依賴它，因為也不可能，它不是一個用錢就能解決一切的產業，必須通過自已的努力，逐步地縮小與世界先進水平之間的差距，最終實現自主的發展。[page]
有可能突破嗎?
這個問題從上到下，包括業界都在思考，因為根據歷史的經驗，中國有一定的可能性，但也面臨諸多困難。例如，在2004年時，以中芯國際為代表的半導體業曾取得全球代工位居第三以及與臺積電之間的工藝技術差距僅1年左右的水平。然而，如今差距可能擴大到2-3年。仔細分析原因是復雜的，尤其可能涉及到國家的工業基礎水平。
如果客觀地分析目前中國半導體業發動再次沖擊的有利方面包括1)能從過去發展的經驗中，如IP的缺失等，一定會有所改進 2)近期又引進一批優秀人材 3)國家表示愿意重新加大投入4)全球半導體形勢轉好，給中國的發展騰出空間。
因此，此次中國半導體業發動再次沖擊有成功的可能性，但也不能輕視放在中國面前的許多障礙。從目前的競爭態勢中，如高端技術的自主突破是首位。
差距有多大
目前中芯國際自David Wang上臺后，又喜賀特許的楊士寧加盟，隨之引進一批骨干人材。目前己經開始65nm產品的量產，月產為4000片左右，并正努力沖擊45nm技術及準備32nm的研發，應該說已取得了長足的進步。另外上海華立正緊鑼密鼓的進行設備訂貨及技術前期準備工作，如與IMEC簽訂65nm技術合作協議與培訓人材。
但是臺積電在Q12010年時65nm占營收27%及40-45nm占營收為14%。并正在擴充其12英寸生產線Fab 12與Fab14的產能。到2010年第四季度時兩個工廠合計40nm產能將達到16萬片，比去年同期翻一番。該公司40nm工藝的銷售額比例在2009 年第四季度為9%，預計2010年底將提高到20%。
聯電目標在今年下半年實現65nm占營收的30-40%，即2010年銷售額有近10億美元，及45-40nm占3%。
另外，IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導體四家行業巨頭聯合宣布，他們將合作實現半導體制造工廠的同步，共同使用IBM 技術聯盟開發的28nm低功耗工藝生產相關芯片。
IBM技術聯盟的28nm低功耗工藝使用Bulk CMOS、HKMG(高K金屬柵極)技術，特別是有意通過獨特的Gate First(前柵極)技術推動HKMG的標準化，號稱在靈活性和制造性方面都優于其他類型的HKMG技術(主要是Intel)，芯片核心尺寸更小，設計和生產兼容性更好。預計今年底就會有工廠率先完成同步過程，隨后不久便可以開始投產。
由此，全球代工的第一陣營中，包括臺積電，聯電，GlobalFoundries及三星基本上已進入45-40nm量產，而跨入28nm的試生產中。其中臺積電聲言將跳過28nm，而直接進入20nm，采用領先半代的工藝技術策略。
所以中芯國際及華立不但要加緊尋找技術合作伙伴，進行自主的突破技術，而且一定要快，否則想從“虎口奪牙”，要爭取更大的市場份額會有一定難度。然而，從長遠看中國發展半導體業不必太在乎是全球第幾名，而是在于從整體上提高中國半導體業的基礎水平，使產業鏈更加完善，能讓大部分企業能實現盈利而生存下來及芯片的自給率真正提高到一定水平。
