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第四講：單激式電源開關(guān)管的過壓保護(hù)設(shè)計(jì)
臨近歲末，《電子元件技術(shù)網(wǎng)》為培養(yǎng)社區(qū)頂級(jí)設(shè)計(jì)工程師而精心打造的造星平臺(tái)---大講臺(tái)將為大家?guī)硪徊ㄓ忠徊ǖ捏@喜，最新推出的是社區(qū)技術(shù)專家陶顯芳老師傾情打造的最新賀歲力作：單激式開關(guān)電源漏感與分布電容對(duì)輸出波形的影響，以及RCD尖峰脈沖吸收電路參數(shù)的計(jì)算實(shí)例。本站將分五講為大家披露...
2012-12-15
單激式 開關(guān)電源 過壓保護(hù)
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導(dǎo)通/截止比達(dá)到2.54萬倍的4端子石墨烯晶體管
日本試制出邏輯元件用4端子石墨烯晶體管，晶體管溝道部分的尺寸為長20nm、寬30nm，導(dǎo)通/截止比達(dá)到2.54萬倍。
2012-12-14
石墨烯 晶體管 導(dǎo)通/截止比
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第三講：對(duì)漏感與分布電容的影響進(jìn)行數(shù)學(xué)分析
臨近歲末，《電子元件技術(shù)網(wǎng)》為培養(yǎng)社區(qū)頂級(jí)設(shè)計(jì)工程師而精心打造的造星平臺(tái)---大講臺(tái)將為大家?guī)硪徊ㄓ忠徊ǖ捏@喜，最新推出的是社區(qū)技術(shù)專家陶顯芳老師傾情打造的最新賀歲力作：單激式開關(guān)電源漏感與分布電容對(duì)輸出波形的影響，以及RCD尖峰脈沖吸收電路參數(shù)的計(jì)算實(shí)例。本站將分五講為大家披露...
2012-12-14
開關(guān)電容 漏感 電容 陶顯芳
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標(biāo)準(zhǔn)具濾波器：零溫度特性、高精度、高可靠性、小型化
標(biāo)準(zhǔn)具濾波器是一種在光通信大容量傳輸系統(tǒng)中感測多個(gè)不同光波長偏差的元件。此次京瓷通過在業(yè)界首次采用原子擴(kuò)散接合法，成功實(shí)現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)具濾波器的零溫度特性、高精度、高可靠性及小型化。此產(chǎn)品將于明年1月起提供樣品，由京瓷負(fù)責(zé)銷售。
2012-12-14
濾波器 京瓷 晶圓
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峰值效率高達(dá)95%的DC-DC穩(wěn)壓器
ADI推出轉(zhuǎn)換效率超過95%的緊湊型開關(guān)穩(wěn)壓器，在-40°C至+125°C結(jié)溫范圍內(nèi)工作，采用緊湊型4 mm x 4 mm 24引腳LFCSP封裝。同步輸入，可將輸入紋波電流減至最小，并簡化輸入濾波器設(shè)計(jì)
2012-12-14
ADI DC-DC 穩(wěn)壓器
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如何同步多個(gè)ADC并行輸出，解決工程師困擾？
通過多個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)對(duì)多個(gè)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行同時(shí)采樣，可以滿足許多通信、儀器儀表和信號(hào)采集系統(tǒng)需要。然而，經(jīng)過采樣得到的數(shù)據(jù)需被處理，才能實(shí)現(xiàn)各個(gè)通道的同步，同時(shí)他們也有各自有不同的時(shí)延。這個(gè)問題一直成為使用LVDS和并行輸出ADC的系統(tǒng)工程師的困擾。
2012-12-14
ADC 發(fā)射器 系統(tǒng)時(shí)鐘
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第一講：電磁騷擾問題的故障點(diǎn)定位與分析
電磁騷擾問題的故障如何定位？從產(chǎn)品內(nèi)主要電磁騷擾源分析騷擾源定位、產(chǎn)品連續(xù)傳導(dǎo)發(fā)射問題故障定位、產(chǎn)品斷續(xù)傳導(dǎo)發(fā)射問題故障定位、產(chǎn)品輻射騷擾問題故障定位、騷擾功率問題故障定位6大方面讓你從容應(yīng)對(duì)電磁騷擾問題故障！
2012-12-13
電磁騷擾 EMI EMC
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第二講：漏感與分布電容對(duì)輸出波形的影響
臨近歲末，《電子元件技術(shù)網(wǎng)》為培養(yǎng)社區(qū)頂級(jí)設(shè)計(jì)工程師而精心打造的造星平臺(tái)---大講臺(tái)將為大家?guī)硪徊ㄓ忠徊ǖ捏@喜，最新推出的是社區(qū)技術(shù)專家陶顯芳老師傾情打造的最新賀歲力作：單激式開關(guān)電源漏感與分布電容對(duì)輸出波形的影響，以及RCD尖峰脈沖吸收電路參數(shù)的計(jì)算實(shí)例。本站將分五講為大家披露...
2012-12-13
漏感 電容 開關(guān)電源 陶顯芳
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GaN壓力來襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價(jià)格過高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實(shí)際應(yīng)用都很少。隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點(diǎn)，受到越來越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時(shí)才會(huì)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，成為業(yè)...
2012-12-13
SiC器件 MOSFET 羅姆
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