【導讀】目前數字集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路（主要為 TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS 等）。CMOS 電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。
目前數字集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路（主要為 TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS 等）。CMOS 電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。
CMOS 集成電路的簡介
CMOS 互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件。是組成 CMOS 數字集成電路的基本單元。
金屬 - 氧化物 - 半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱 MOS 晶體管，有 P 型 MOS 管和 N 型 MOS 管之分。由 MOS 管構成的集成電路稱為 MOS 集成電路，而由 PMOS 管和 NMOS 管共同構成的互補型 MOS 集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated CIRcuit）。
CMOS 集成電路的性能特點
微直流功耗 — CMOS 電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。
高噪聲容限 — CMOS 電路的噪聲容限一般在 40%電源電壓以上。
寬工作電壓范圍 — CMOS 電路的電源電壓一般為 1.5~18 伏。
高邏輯擺幅 — CMOS 電路輸出高、低電平的幅度達到全電壓的“1”為 VDD，邏輯“0”為 VSS。
高輸入阻抗 — CMOS 電路的輸入阻抗大于 108Ω,一般可達 1010Ω。
高扇出能力 — CMOS 電路的扇出能力大于 50。
低輸入電容— CMOS 電路的輸入電容一般不大于 5PF。
寬工作溫度范圍 — 陶瓷封裝的 CMOS 電路工作溫度范圍為 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的 CMOS 電路為 – 40 0C ~ 85 0C。
所有的輸入均有刪保護電路，良好的抗輻照特性等。
CMOS 與 TTL 的比較
CMOS 發展比 TTL 晚，但是以其較高的優越性在很多場合逐漸取代了 TTL。以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。
1.CMOS 是場效應管構成，TTL 為雙極晶體管構成
2.CMOS 的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL 只能在 5V 下工作
3.CMOS 的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL 則相差小，抗干擾能力差
4.CMOS 功耗很小，TTL 功耗較大（1～5mA/ 門）
5.CMOS 的工作頻率較 TTL 略低，但是高速 CMOS 速度與 TTL 差不多相當。
CMOS 集成電路的使用注意事項
1、CMOS 電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恒定的電平。
2、輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的電流限制在 1mA 之內。
3、當接長信號傳輸線時，在 CMOS 電路端接匹配電阻。
4、當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為 R=V0/1mA.V0 是外界電容上的電壓。
5、CMOS 的輸入電流超過 1mA，就有可能燒壞 CMOS。
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