【導讀】隨著漏電斷路器使用推廣及人民生活水平提高，家用電器等設備增加，而家用電器普遍存在感性負載和容性負載，這些負載在使用中易產生感應電動勢、浪涌電壓以及沖擊電流，從而要求漏電斷路器對抗浪涌電壓、沖擊電流等干擾的能力越來越強，使漏電斷路器在各種情況下能可靠使用，確保漏電斷路器不出現誤跳和失效現象。
1.漏電芯片電源部分
最新的國家標準GB16917.1-2014（帶過載電流保護的漏電斷路器標準）中規定，對于應用于三相四線制中的漏電保護器，當其中任意兩相發生斷相的故障且此時線路中存在漏電流，若該漏電流達到漏電保護器的整定動作電流值IΔn，那么漏電保護器必須可靠脫扣，能夠發揮保護功能。針對這一標準，漏電保護器的整流部分，通常采用全橋整流就能滿足要求，只要考慮整流二極管的反向耐壓值能滿足EMC方面的試驗要求。若采用集成芯片如54123方案，那么芯片8腳需要并聯鉭電容和X7R封裝電容，起到整流后濾波和抗高頻干擾的作用，這樣芯片54123才能工作在較理想的狀態。同時國家標準GB16917.1-2014中規定了：若漏電保護器的整定漏電動作電流小于等于30mA，則該漏電保護器需要滿足50V動作特性。
50V動作特性：當漏電保護器RCBO處于閉合位置時切斷電源，RCBO不應分斷；緊接著在電源端施加50V電壓，對RCBO某一極突加IΔn，RCBO應脫扣。為了滿足這個動作特性，就要合適的選擇芯片54123的電源腳的降壓電阻，使得當電源端電壓為交流50V時，經過整流濾波之后芯片54123的電源電壓在其數據手冊規定范圍內（最小值為12V，通常需要16V）。經過這兩個步驟，應該說漏電集成芯片的電源端是比較理想的，如果PCB空間充足情況下還可在電源引腳和地之間并聯一個穩壓管。
2.可控硅觸發部分
斷路器三相同時通電時，經過全橋整流之后加在可控硅兩端的直流電壓超過500V，對單個可控硅的參數要求非常高，目前主流產品都是采用雙硅串聯的電路，以此降低單個可控硅兩端的直流電壓，提高可控硅觸發電路的可靠性和穩定性。現有技術采用的雙硅串聯電路如下圖所示，只是簡單的把兩個可控硅串聯起來，當漏電IC芯片檢測到漏電信號達到跳閘閾值時，跳閘信號輸出引腳輸出高電平，可控硅SCR2觸發，繼而可控硅SCR1觸發，從而使得漏電斷路器線圈脫扣。從圖1可以看出，斷路器正常通電情況下，整流之后的直流電壓幾乎全部加在可控硅SCR1上，SCR2并沒有起到分擔電壓的作用。若可控硅SCR1性能參數不良被擊穿時，線路中的高直流電壓非常容易再次擊穿可控硅SCR2，導致漏電斷路器直跳異常現象的發生。這種線路對單個可控硅的參數性能要求依舊很高，并沒有充分利用雙硅串聯的可靠性。
