【導讀】IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518，擁有獨有的調(diào)試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT公司今天推出業(yè)界首款低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用于服務器、工作站和存儲應用的先進內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。
MB3518是一個低功率 DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，能在 1 個通道內(nèi)與 2 個 LRDIMM 以高達1866 兆/秒的傳輸速率運行。假設(shè)一個 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM，相當于在一個典型服務器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量，那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達到超過 1TB，預計將在 2013 年推出。這意味著相比于標準注冊的雙列直插內(nèi)存模塊 (RDIMMs)，在最高速度等級的相對容量內(nèi)實現(xiàn)了四倍的提升，使計算系統(tǒng)能夠支持更多內(nèi)存并提升應用性能。內(nèi)存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運行，在不犧牲性能的前提下提供業(yè)界最低的功耗。這直接使得終端用戶在功率和冷卻方面節(jié)約可觀的運營費用。
IDT 公司副總裁兼企業(yè)計算部總經(jīng)理 Mario Montana 表示：“作為內(nèi)存接口解決方案的領(lǐng)導廠商，IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過專注于低功率和高性能，在提升速度的同時堅持開發(fā)高效節(jié)能的解決方案以降低數(shù)據(jù)中心的運行成本并減少碳排放，IDT 的客戶們可以從中獲益。從系統(tǒng)來看，IDT 豐富的接口和互聯(lián)產(chǎn)品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價值選擇，幫助他們構(gòu)建市場上最先進的企業(yè)服務器和存儲設(shè)備。”
美光DRAM 市場部副總裁 Robert Feurle 表示：“美光致力于提供能夠在提升性能的同時降低功率的 LRDIMM 解決方案，來滿足我們的客戶在高性能計算 (HPC)、數(shù)據(jù)中心和云計算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作，開發(fā)下一代 LRDIMM 產(chǎn)品。”
IDT 的內(nèi)存緩存芯片擁有獨有的調(diào)試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。IDT 內(nèi)存緩沖芯片符合聯(lián)合電子工程委員會 (JEDEC) 設(shè)立的最嚴格的規(guī)范。
供貨
IDT MB3518 和 MB3516 目前已向合格客戶提供樣品，有蓋和無蓋產(chǎn)品均采用 588 引腳 FCBGA 封裝。
