中心論題：
- 分析鋰離子電池保護(hù)電路的基本功能和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
- 分析鋰離子電池保護(hù)芯片關(guān)鍵電路的實(shí)現(xiàn)
- 模擬驗(yàn)證鋰離子電池保護(hù)芯片性能
解決方案：
- 引入了濾除干擾電路，采用三級(jí)保護(hù)機(jī)制和帶隙基準(zhǔn)源
- 將模擬電路偏置在弱反型區(qū)，引入了待機(jī)狀態(tài)電路
- 巧妙電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)、充電過(guò)流檢測(cè)和0V電池充電抑制電路
前言
鋰離子電池保護(hù)芯片的設(shè)計(jì)與其封裝結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，如圖1所示為封裝在鋰離子電池內(nèi)部的保護(hù)電路的基本結(jié)構(gòu)。在正常情況下，充電控制端CO 和放電控制端DO 為高電位，N型放電控制管FET1和充電控制管FET2處于導(dǎo)通狀態(tài)，電路的工作方式可以是電池向負(fù)載放電，也可以是充電器對(duì)電池進(jìn)行充電；當(dāng)保護(hù)電路檢測(cè)到異常現(xiàn)象（過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流）時(shí)，使CO或DO輸出低電平，從而切斷充電或放電回路，實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。
為了有效利用放電電流或充電電流，F(xiàn)ET1和FET2采用導(dǎo)通電阻很小的功率管。它們的選擇原則除了導(dǎo)通電阻要小，還要求體積小，并且關(guān)閉時(shí)源漏擊穿電壓要能經(jīng)受不匹配充電器的影響。從理論上說(shuō)，F(xiàn)ET1和FET2可以用N 管也可以用P 管。但由于單節(jié)鋰離子電池保護(hù)電路的電源電壓較低，為了減小導(dǎo)通電阻，一般都采用N管。圖1中二極管是FET1和FET2的寄生二極管，它們的存在使系統(tǒng)在過(guò)放電狀態(tài)下能對(duì)電池充電，在過(guò)充電狀態(tài)下能對(duì)負(fù)載放電。
圖1 3.6V 鋰離子電池保護(hù)電路封裝結(jié)構(gòu)
鋰離子電池保護(hù)芯片的應(yīng)用場(chǎng)合要求其具有低電流驅(qū)動(dòng)、高精度檢測(cè)的特點(diǎn)，另外由于保護(hù)電路的供電電源即為電池電壓，因此在電池電壓的變化范圍內(nèi)，保護(hù)電路必須正常工作，本文根據(jù)圖1 所示的連接關(guān)系，設(shè)計(jì)一種低功耗單節(jié)鋰離子電池保護(hù)芯片，其電池電壓可以在1V—5.5V范圍內(nèi)變化。
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
鋰離子電池保護(hù)芯片的基本功能是進(jìn)行過(guò)充電保護(hù)、過(guò)放電保護(hù)和過(guò)電流保護(hù)，其中過(guò)電流保護(hù)包括充電過(guò)流保護(hù)和放電過(guò)流保護(hù)。下面以保護(hù)電路的基本功能為出發(fā)點(diǎn)，分析其系統(tǒng)的組成。
檢測(cè)異常現(xiàn)象
鋰離子電池保護(hù)電路為了實(shí)現(xiàn)其基本功能，首先需要檢測(cè)異常現(xiàn)象。過(guò)充電和過(guò)放電檢測(cè)是將電池電壓進(jìn)行分壓（采樣）后與基準(zhǔn)電壓比較實(shí)現(xiàn)的；而對(duì)于過(guò)流檢測(cè)，保護(hù)芯片首先將充放電過(guò)程中的電流轉(zhuǎn)化為在功率管FET1、FET2上的電壓，然后通過(guò)VM與基準(zhǔn)電壓比較完成，放電過(guò)流檢測(cè)的是正電壓，充電過(guò)流檢測(cè)的是負(fù)電壓。
濾除干擾信號(hào)
通常在鋰離子電池保護(hù)電路的工作過(guò)程中會(huì)有干擾信號(hào)存在，干擾信號(hào)的類(lèi)型主要有兩種：一種為瞬間干擾，它是指在正常的信號(hào)上，在極短的時(shí)間內(nèi)疊加上一個(gè)較大的信號(hào)。另一種為波動(dòng)干擾，它是指信號(hào)的起伏波動(dòng)。如圖2 以充電過(guò)程解釋了這兩類(lèi)干擾，其中VCU 為過(guò)充電檢測(cè)電壓。
為了防止干擾信號(hào)的引入使保護(hù)電路產(chǎn)生誤動(dòng)作，可以從系統(tǒng)角度考慮采用適當(dāng)?shù)拇胧p小它們的影響。
瞬間干擾可以在保護(hù)電路內(nèi)部加上延時(shí)電路加以濾除，即當(dāng)保護(hù)電路檢測(cè)到異常信號(hào)后，延時(shí)一段時(shí)間再關(guān)閉FET1或FET2。根據(jù)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流對(duì)鋰電池的危害程度選取不同的延時(shí)時(shí)間。為了更加合理的保護(hù)鋰電池，放電過(guò)流可分為三個(gè)級(jí)別，分別為過(guò)流1保護(hù)、過(guò)流2保護(hù)以及負(fù)載短路保護(hù)，過(guò)流1的延時(shí)稍長(zhǎng)，過(guò)流2的延時(shí)比過(guò)流1的延時(shí)短一些，而負(fù)載短路不加延時(shí)立即保護(hù)。波動(dòng)干擾可以在保護(hù)電路內(nèi)部加上遲滯電路加以濾除。
控制充電控制管有效關(guān)閉
在充電過(guò)程中，與FET2源極相連的VM端電位為負(fù)值，當(dāng)過(guò)充電保護(hù)起作用時(shí)，必須在過(guò)充電延時(shí)信號(hào)與CO端之間加上電平轉(zhuǎn)換電路，將控制邏輯電路產(chǎn)生的邏輯信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，使CO端的電位小于或等于VM端的電位，從而保證FET2有效關(guān)斷。
0V電池充電抑制功能
鋰離子電池保護(hù)電路可實(shí)現(xiàn)對(duì)0V電池進(jìn)行充電，也可實(shí)現(xiàn)對(duì)0V 電池禁止充電，本文的設(shè)計(jì)采用后者，這一功能使保護(hù)電路禁止對(duì)內(nèi)部短路的電池進(jìn)行充電。當(dāng)電池電壓為0V電池充電抑制電壓VOINH（典型值為1V左右）或更低時(shí)，F(xiàn)ET2的柵極電位被固定為VM 的電位，從而禁止充電。當(dāng)電池電壓等于或高于VOINH 時(shí)，可以進(jìn)行充電。
其它功能
1）在過(guò)充電狀態(tài)下，保護(hù)電路需禁止放電過(guò)流保護(hù)起作用。因?yàn)殡姵卦谶^(guò)充電后接上負(fù)載的情況下，在放電初期，系統(tǒng)仍處于過(guò)充電狀態(tài)，此時(shí)放電電流必然很大，引起過(guò)流的可能性很大；而過(guò)流保護(hù)如果起作用，就會(huì)關(guān)斷放電回路。這樣，一旦電池過(guò)充電，就可能永遠(yuǎn)不能使用；
2）在過(guò)放電保護(hù)起作用時(shí)，保護(hù)電路需禁止充電過(guò)流保護(hù)起作用。因?yàn)楫?dāng)電池過(guò)放電后，剛接上充電器充電時(shí)，充電電流會(huì)很大。此時(shí)禁止充電過(guò)流保護(hù)起作用，可保證電池在過(guò)放電后可充電；
3）為了減少充電電流流過(guò)FET1內(nèi)部寄生二極管的時(shí)間，如果在過(guò)放電狀態(tài)下連接上充電器并且VM電壓低于充電過(guò)流檢測(cè)電壓時(shí)，解除過(guò)放電遲滯。
根據(jù)上述分析，本文設(shè)計(jì)的鋰離子電池保護(hù)電路的系統(tǒng)框圖如圖3所示。系統(tǒng)主要包括控制邏輯電路（CONTROL LOGIC CIRCUIT）、取樣電路（SAMPLE CIRCUIT）、過(guò)充電檢測(cè)比較器（OVERDIACHARGE COMPARATOR）、過(guò)放電檢測(cè)比較器（OVERDISCHARGE COMPARATOR）、過(guò)流1檢測(cè)比較器（OVERCURRENT1 COMPARATOR）、過(guò)流2 檢測(cè)比較器（OVERCURRENT2 COMPARATOR）、負(fù)載短路檢測(cè)電路（LOAD SHORT DETECTION CIRCUIT）、充電過(guò)流檢測(cè)電路（CHARGER DETEDTION CIRCUIT）、電平轉(zhuǎn)換電路（CONVERTOR CIRCUIT）、基準(zhǔn)電路（REFERENCE CIRCUIT）以及偏置電路（BIAS CIRCUIT）。其中，偏置電路在圖3 中沒(méi)有給出，電平轉(zhuǎn)換電路同時(shí)能實(shí)現(xiàn)0V 充電抑制功能。
圖3 鋰離子電池保護(hù)電路系統(tǒng)框圖
圖3 中MN 在過(guò)電流時(shí)導(dǎo)通，它的作用是使過(guò)大的電流不經(jīng)過(guò)FET1和FET2而通過(guò)MN流向地。MP與待機(jī)狀態(tài)有關(guān)，待機(jī)狀態(tài)電路的工作原理是：當(dāng)保護(hù)電路進(jìn)入過(guò)放電狀態(tài)后，產(chǎn)生一個(gè)待機(jī)狀態(tài)信號(hào)，使保護(hù)芯片中的大多數(shù)電路停止工作，它是通過(guò)控制邏輯電路和負(fù)載短路檢測(cè)電路的配合完成的。M3的作用是在待機(jī)狀態(tài)下，使采樣電路不消耗靜態(tài)電流。M4和M5分別用于實(shí)現(xiàn)過(guò)放電和過(guò)充電檢測(cè)遲滯以濾除充放電過(guò)程中的波動(dòng)干擾信號(hào)。而瞬時(shí)干擾信號(hào)的濾除由控制邏輯電路中的延時(shí)電路實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵電路實(shí)現(xiàn)
鋰離子電池保護(hù)芯片的性能，不僅與系統(tǒng)結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，與具體電路的實(shí)現(xiàn)也是密不可分的，下面的電路模塊在整個(gè)芯片中具有關(guān)鍵的作用，本文從功耗和精度等角度考慮，提出了獨(dú)特的設(shè)計(jì)方法。
待機(jī)狀態(tài)電路
保護(hù)電路進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)有賴于過(guò)放電狀態(tài)的檢測(cè)，進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)后，為了減小功耗應(yīng)使盡可能多的電路模塊停止工作，但如果所有的檢測(cè)電路都不工作，待機(jī)狀態(tài)將無(wú)法退出，為此在設(shè)計(jì)負(fù)載短路檢測(cè)電路時(shí)不引入待機(jī)狀態(tài)控制信號(hào)，其目的即為在電池電壓升高后使保護(hù)電路能及時(shí)退出待機(jī)狀態(tài)。圖4 給出了待機(jī)狀態(tài)信號(hào)產(chǎn)生和撤銷(xiāo)的原理圖。
圖4 待機(jī)狀態(tài)實(shí)現(xiàn)電路
圖4 中SOD為過(guò)放電檢測(cè)信號(hào)，系統(tǒng)處于正常狀態(tài)時(shí)，SOD為高電平，VM為低電平，因此待機(jī)狀態(tài)控制信號(hào)POWERD輸出高電平、POWERDB輸出低電平。當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)入過(guò)放電狀態(tài)時(shí)，SOD（延時(shí)后的信號(hào)）變?yōu)榈碗娖剑琈P導(dǎo)通使VM變?yōu)楦唠娖剑罱K使POWERD變?yōu)榈碗娖健OWERDB變?yōu)楦唠娖剑鼈兛刂票Ｗo(hù)電路相應(yīng)模塊停止工作，系統(tǒng)進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。當(dāng)對(duì)電池進(jìn)行充電時(shí)，由圖1可知VM被強(qiáng)制拉到低電平，使負(fù)載短路檢測(cè)電路的輸出信號(hào)OUT_LSB變?yōu)楦唠娖剑淮藭r(shí)，不論SOD為何值或非門(mén)都將輸出低電平，POWERD由此變?yōu)楦唠娖剑@樣，就可實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的退出。
基準(zhǔn)電壓電路
為了檢測(cè)過(guò)充電、過(guò)放電和放電過(guò)流情況，檢測(cè)比較器需要與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。由于過(guò)充電檢測(cè)和過(guò)放電檢測(cè)電路之前有采樣電路，它們可用相同的基準(zhǔn)電壓，而過(guò)流1 和過(guò)流2 需采用不同的基準(zhǔn)電壓。為了提高芯片的檢測(cè)精度，電壓基準(zhǔn)采用受電源、溫度和工藝影響較小的帶隙基準(zhǔn)源，如圖5 所示為具體結(jié)構(gòu)圖，其中M1~M5 工作于弱反型區(qū)，因此該電路具有功耗較小的特點(diǎn)。
電路的工作原理為：由M1—M4和R5組成的自偏置電路產(chǎn)生具有正溫度系數(shù)的電流，它在電阻R0所產(chǎn)生的壓降和具有負(fù)溫度系數(shù)的PN 結(jié)壓降（D0上的壓降）相加，從而輸出零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓VBD；為滿足同一電路中輸出不同的基準(zhǔn)電壓源，利用電阻分壓將VBD 分成了VBI1及VBI2輸出；C0和R6組成啟動(dòng)電路。
由圖5 可知， VGSM2-VGSM1=IM2*R5。M3 和M4 組成電流鏡，取相同的寬長(zhǎng)比，則IM1=IM2。因?yàn)镸1和M2工作于弱反型區(qū)，所以：
式（1）中n為亞閾值因子，UT為熱電勢(shì)。M3和M5組成電流鏡，則：
設(shè)R=(R1+R2)//(R3+R4)，二極管的正向壓降為VD，可以推導(dǎo)輸出電壓為：
由（3）—（5）式可知，基準(zhǔn)電壓的精度與電阻R0—R4 的精度直接相關(guān)，為此這些電阻需要采用調(diào)整（trimming）技術(shù)。
圖5 電壓基準(zhǔn)電路
充電過(guò)流檢測(cè)電路
充電過(guò)流的檢測(cè)歸結(jié)為檢測(cè)VM電壓，其臨界值為VCH（約為-1.3V）。如果所用工藝的MOS管閾值電壓可以調(diào)節(jié)，負(fù)電壓檢測(cè)電路可用差分結(jié)構(gòu)的比較器實(shí)現(xiàn)，其中比較器的一個(gè)輸入端接地，并且兩個(gè)差分對(duì)管的閾值電壓需要調(diào)整。為了使該電路能用常規(guī)的CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)，本文在過(guò)零比較器的基礎(chǔ)上引入升壓電路，如圖6(a)所示當(dāng)VM》VCHA時(shí)，升壓電路使VN>0 。升壓部分具體實(shí)現(xiàn)如圖6(b)所示。
（a）采用升壓實(shí)現(xiàn) （b）升壓部分具體實(shí)現(xiàn)
圖6 負(fù)壓檢測(cè)原理
PMOS管M1和NMOS管M2的柵極都接地。當(dāng)M1的柵源電壓小于它的閾值電壓時(shí)，M2截止，而M1始終導(dǎo)通，A1比較器的反相輸入信號(hào)VN電位因?yàn)榇笥谕噍斎攵说碾娢唬馆敵鯫UT_CDCB為低電平。隨著輸入信號(hào)VM電位向負(fù)方向的增大，M2逐漸導(dǎo)通，最后使得VN 端電位變負(fù)，OUT_CDCB由此變?yōu)楦唠娖健D6中VN=0時(shí)的輸入電壓即為檢測(cè)電壓VCHA，此時(shí)M1和M2處于飽和狀態(tài)且下列關(guān)系式成立：
（6）式中， un和up分別為N管和P管的遷移率，VTHN和VTHP分別為N管和P管的閾值電壓，COX為氧化層電容。（6）式經(jīng)整理得：
由（7）式可知，本電路中檢測(cè)電壓|VCHA|的取值只能大于M2的閾值電壓，改變M1和M2的寬長(zhǎng)比可改變檢測(cè)電壓VCHA。當(dāng)M2未導(dǎo)通時(shí)，電路消耗的電流較小；當(dāng)M2導(dǎo)通時(shí)，就會(huì)有電源到地的通路，為了減小消耗的電流，一般取M1的寬長(zhǎng)比小于1。
電平轉(zhuǎn)換電路及0V 電池充電抑制電路
由于電平轉(zhuǎn)換電路和0V電池充電抑制電路的目的都是為了控制CO端，這兩個(gè)功能可用一個(gè)電路完成，如圖7 所示給出了具體實(shí)現(xiàn)電路。
圖7 電平轉(zhuǎn)換電路及0V電池充電抑制電路
電平轉(zhuǎn)換功能主要由M1—M4、R1和R2組成的電路完成；0V電池充電抑制功能主要由M5、M6和R3完成；M7—M10和R4組成的與非門(mén)在電平轉(zhuǎn)換功能和0V 電池充電抑制功能之間進(jìn)行選擇。電阻起限流作用。下面是這兩個(gè)功能的具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程。
電平轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)過(guò)程
在正常的放電過(guò)程中，VM端電位大于零而接近于零，可近似為VSS。此時(shí)，該電路的輸入信號(hào)IN_LCB=‘0’，IN_LC=‘1’，顯然，CO輸出為高電平（VDD）。
在正常的充電過(guò)程中，VM端電位小于零而接近于零，仍可近似為VSS。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)充電或充電過(guò)流時(shí)，IN_LC=‘0’，IN_LCB=‘1’，VA為VM端電位，VB為VDD電位，VC輸出VDD電位，因此CO與VM等電位。
0V 電池充電抑制實(shí)現(xiàn)過(guò)程
0V 電池充電抑制功能發(fā)生在充電過(guò)程中，此時(shí)，IN_LCB=‘0’，IN_LC=‘1’，VA 為高電平。當(dāng)電池電壓VDD小于或等于1V時(shí)，M5關(guān)閉，另外，較小的電池電壓使其內(nèi)阻變小，接近內(nèi)部短路。在這種情況下充電，充電電流一定很大，導(dǎo)致VM的電位下降很大，使M6 導(dǎo)通，VB由低電平轉(zhuǎn)化為高電平，CO端輸出電位接近VM電位。
模擬結(jié)果
芯片的所有功能和主要參數(shù)均用HSPICE 進(jìn)行了模擬驗(yàn)證。圖8 給出了過(guò)充電保護(hù)檢測(cè)和釋放波形圖，圖9 給出了過(guò)放電保護(hù)檢測(cè)和釋放波形圖，其中COMP_OC 為過(guò)充電比較器的輸出信號(hào)，COMP_OD 為過(guò)放電比較器的輸出信號(hào)；芯片的過(guò)充電和過(guò)放電檢測(cè)精度約為30mV，在正常工作時(shí)消耗的電流為3.23uA，在待機(jī)狀態(tài)時(shí)消耗的電流為0.15uA。
圖8 過(guò)充電保護(hù)檢測(cè)和釋放波形圖
圖9 過(guò)放電保護(hù)檢測(cè)和釋放波形圖
總結(jié)
本文設(shè)計(jì)了一種單節(jié)鋰離子電池保護(hù)芯片，它可用常規(guī)的P 阱或雙阱CMOS工藝實(shí)現(xiàn)。為了提高檢測(cè)異常情況的精度，芯片中引入了濾除干擾電路，放電過(guò)流采用三級(jí)保護(hù)機(jī)制，電壓基準(zhǔn)采用帶隙基準(zhǔn)源；為了降低功耗，采用了如下措施：將模擬電路偏置在弱反型區(qū)，引入了待機(jī)狀態(tài)電路；另外，本文用巧妙的電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了待機(jī)狀態(tài)電路、充電過(guò)流檢測(cè)電路以及0V電池充電抑制電路。經(jīng)過(guò)模擬驗(yàn)證，本文設(shè)計(jì)的芯片能有效防止鋰離子電池在應(yīng)用中所發(fā)生的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流現(xiàn)象，并且具有良好的性能。
