【導(dǎo)讀】請(qǐng)注意，單結(jié)晶體管的符號(hào)看起來(lái)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管或 JFET 的符號(hào)非常相似，只是它有一個(gè)代表發(fā)射極 ( E ) 輸入的彎曲箭頭。雖然 JFET 和 UJT 的歐姆通道相似，但其工作方式卻截然不同，不應(yīng)混淆。
請(qǐng)注意，單結(jié)晶體管的符號(hào)看起來(lái)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管或 JFET 的符號(hào)非常相似，只是它有一個(gè)代表發(fā)射極 ( E ) 輸入的彎曲箭頭。雖然 JFET 和 UJT 的歐姆通道相似，但其工作方式卻截然不同，不應(yīng)混淆。
那么它是如何運(yùn)作的呢？從上面的等效電路可以看出，N 型溝道基本上由兩個(gè)電阻器R B2和R B1與一個(gè)等效（理想）二極管串聯(lián)組成，D代表連接到它們中心點(diǎn)的 pn 結(jié)。該發(fā)射極 pn 結(jié)在制造過(guò)程中沿著歐姆通道固定就位，因此無(wú)法更改。
電阻R B1給出在發(fā)射極E和端子B 1之間，而電阻R B2給出在發(fā)射極E和端子B 2之間。由于pn結(jié)的物理位置比B 1更靠近端子B 2 ，因此R B2的電阻值將小于R B1。
硅棒的總電阻（其歐姆電阻）將取決于半導(dǎo)體的實(shí)際摻雜水平以及N型硅溝道的物理尺寸，但可以用R BB表示。如果使用歐姆表測(cè)量，對(duì)于常見的 UJT（例如 2N1671、2N2646 或 2N2647），該靜態(tài)電阻的測(cè)量值通常約為 4kΩ 至 10kΩ。
這兩個(gè)串聯(lián)電阻在單結(jié)晶體管的兩個(gè)基極端子之間產(chǎn)生一個(gè)分壓器網(wǎng)絡(luò)，并且由于該溝道從B 2延伸到B 1，因此當(dāng)在器件上施加電壓時(shí)，沿溝道的任何點(diǎn)的電勢(shì)將在與其在端子B 2和B 1之間的位置成比例。因此，電壓梯度的水平取決于電源電壓的大小。
在電路中使用時(shí)，端子B 1連接到地，發(fā)射極用作器件的輸入。假設(shè)在B 2和B 1之間的UJT 上施加電壓V BB，使得B 2相對(duì)于B 1偏置為正。在施加零發(fā)射極輸入的情況下，電阻分壓器的R B1 （較低電阻）上產(chǎn)生的電壓可計(jì)算如下：
單結(jié)晶體管 R B1電壓
對(duì)于單結(jié)晶體管，上面顯示的R B1與R BB的電阻比稱為固有隔離比，并用希臘符號(hào)表示：η (eta)。對(duì)于常見的 UJT，η的典型標(biāo)準(zhǔn)值范圍為 0.5 至 0.8。
如果現(xiàn)在向發(fā)射極輸入端子施加小于電阻兩端產(chǎn)生的電壓R B1 ( ηV BB ) 的小正輸入電壓，則二極管 pn 結(jié)反向偏置，從而提供非常高的阻抗，并且器件不會(huì)執(zhí)行。 UJT 切換為“OFF”并且零電流流動(dòng)。
然而，當(dāng)發(fā)射極輸入電壓增加并變得大于V RB1（或ηV BB + 0.7V，其中 0.7V 等于 pn 結(jié)二極管電壓降）時(shí)，pn 結(jié)變?yōu)檎蚱茫瑔谓Y(jié)晶體管開始導(dǎo)通。結(jié)果是發(fā)射極電流ηI E現(xiàn)在從發(fā)射極流入基極區(qū)域。
流入基極的額外發(fā)射極電流的影響減少了發(fā)射極結(jié)和B 1端子之間通道的電阻部分。R B1電阻值減小到非常低的值意味著發(fā)射極結(jié)變得更加正向偏置，從而導(dǎo)致更大的電流。其結(jié)果是在發(fā)射極端子處產(chǎn)生負(fù)電阻。
同樣，如果施加在發(fā)射極和B 1端子之間的輸入電壓降低到擊穿以下的值，則R B1的電阻值增加到高值。那么單結(jié)晶體管可以被認(rèn)為是一種電壓擊穿器件。
因此我們可以看到， R B1呈現(xiàn)的電阻是可變的，并且取決于發(fā)射極電流I E的值。然后，相對(duì)于B 1正向偏置發(fā)射極結(jié)會(huì)導(dǎo)致更多電流流動(dòng)，從而減小發(fā)射極、 E和B 1之間的電阻。
換句話說(shuō)，流入 UJT 發(fā)射極的電流會(huì)導(dǎo)致R B1的電阻值降低，并且其兩端的電壓降V RB1也必須降低，從而允許更多電流流動(dòng)，產(chǎn)生負(fù)電阻條件。
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