【導讀】在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創(chuàng)新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創(chuàng)新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
合并 PIN 肖特基（MPS）結構可減小漏電流
金屬-半導體接面的缺陷是導致 SiC 肖特基二極管漏電流的主要原因。盡管采用更厚的漂移層可減小漏電流，但也會提高電阻和熱阻，從而不利于電源應用。為解決這些問題， Nexperia SiC 開發(fā)了采用混合器件結構的 SiC 二極管，如圖1所示。這種“合并 PiN 肖特基”（MPS）可將肖特基二極管和并聯(lián)的 P-N 二極管有效地結合在一起。
標準 SiC 肖特基二極管結構（左）和 Nexperia 的 SiC MPS 二極管結構（右）
在傳統(tǒng)肖特基結構的漂移區(qū)內嵌入 P 摻雜區(qū)，與肖特基陽極的金屬構成 p 歐姆接觸，并與輕度摻雜 SiC 漂移或外延層構成 P-N 結。在反向偏壓下， P 阱將“驅使”最高場強的通用區(qū)域向下移動到幾乎沒有缺陷的漂移層，遠離有缺陷的金屬勢壘區(qū)域，從而減小總漏電流，如圖2所示。P 阱的物理位置和面積（與肖特基二極管的尺寸相比）以及摻雜濃度會影響其最終特性，同時正向壓降會抵消漏電流和浪涌電流。因此，在漏電流和漂移層厚度相同的情況下， MPS 器件可在更高的擊穿電壓下運行。
圖2：SiC MPS 二極管的靜態(tài) I-V 行為（包括過流）
MPS 二極管具有更出色的浪涌電流穩(wěn)健性
SiC 器件的浪涌電流性能與其單極性和相對較高的漂移層電阻相關， MPS 結構也可以提高該參數(shù)性能。這是因為，雙極性器件的差分電阻低于單極性器件。正常運行時， MPS 二極管的肖特基器件傳導幾乎所有電流，以便像肖特基二極管那樣有效運行，同時在開關期間提供相同的優(yōu)勢。在高瞬態(tài)浪涌電流事件期間，通過 MPS 二極管的電壓會超過內置 P-N 二極管的開啟電壓，從而開始以更低的差分電阻傳導。這可以轉移電流，同時限制耗散的功率，并緩解 MPS 二極管的熱應力。如果只使用肖特基二極管，而不使用 P-N 二極管，則必須使用尺寸明顯超規(guī)格的肖特基二極管，以允許目標應用中出現(xiàn)瞬時過流事件。為限制過流，可并聯(lián)連接器件（或添加額外電路），但這會增加成本。同樣， P 阱的尺寸和摻雜需要在正向壓降（正常運行期間）與浪涌承受能力之間進行權衡。具體優(yōu)化選擇取決于應用， Nexperia（安世半導體）提供適合各種硬開關和軟開關應用的二極管。
MPC 二極管的反向恢復特性
除了具有更出色的靜態(tài)特性， SiC MPS 二極管在動態(tài)開關操作期間也具備諸多優(yōu)點。其與硅基 P-N 二極管相比的一個顯著優(yōu)勢與反向恢復特性有關。反向恢復電荷是造成硅快速恢復二極管功率損耗的一個主要原因，因此對轉換器效率會有不利影響。影響反向恢復電荷的參數(shù)有很多，包括二極管關斷電流和結溫。相比之下，只有多數(shù)載流子才會影響 SiC 二極管的總電流，這意味著 SiC 二極管能夠表現(xiàn)出幾乎恒定的行為，幾乎不會有硅快速恢復二極管的非線性性能。因此，功率設計人員更容易預測出 SiC 的行為，因為他們無需考慮各種環(huán)境溫度和負載條件。
創(chuàng)新的“薄型 SiC ”二極管結構可進一步提高 MPS 二極管的性能
Nexperia（安世半導體）的 MPS 二極管在制造過程中減少了芯片厚度，因此具有額外的優(yōu)勢。未經過處理的 SiC 襯底為 N 摻雜襯底，并會生長出 SiC 外延層，以形成漂移區(qū)。襯底最初的厚度可達500 μm ，但在外延后，這會給背面金屬的電流和熱流路徑增加額外的電阻和熱阻。因此，給定電流下的正向壓降和結溫也會變得更高。針對該問題， Nexperia（安世半導體）的解決方案就是將襯底的底面“磨薄”。在此工序中，材料質量和研磨精度至關重要，以避免厚度不均勻，進而降低二極管的性能（這會導致現(xiàn)場應用中的器件故障）。此外，由于 SiC 的硬度更高（莫氏硬度等級為9.2至9.3，而硅的硬度等級為6.5），需要采用先進的制造技術。圖3顯示了該工藝的效果，通過使用 Nexperia（安世半導體）的“薄型 SiC ”技術將襯底厚度減少到原來的三分之一。
圖3：與標準的 SiC 二極管結構（左）相比， Nexperia（安世半導體）的“薄型 SiC ”工藝（右）可提高二極管的電氣性能和熱性能。
因此，從結點到背面金屬的熱阻顯著降低，從而降低器件的工作溫度，提高器件的可靠性（由于具備更高的浪涌電流穩(wěn)健性），并降低正向壓降。
總結
可用 SiC 肖特基二極管的數(shù)量和類型不斷增加，包括使用傳統(tǒng)結構的 SiC 肖特基二極管和使用更先進的 MPS 結構的 SiC 肖特基二極管。Nexperia（安世半導體）的新型 SiC 肖特基二極管集成了寬帶隙半導體材料（碳化硅）的優(yōu)點、 MPS 器件結構及其“薄型 SiC ”技術帶來的額外優(yōu)勢。憑借其在工藝開發(fā)和器件制造方面的專業(yè)知識， Nexperia（安世半導體）能夠進一步提高這款新產品的性能，使其在當今 SiC 二極管市場中始終保持領先地位。
關于作者：Sebastian Fahlbusch
Sebastian 在電力電子領域擁有十多年的經驗，尤其是在碳化硅（SiC）和寬帶隙技術方面。他成功地在漢堡聯(lián)邦國防軍大學完成了有關使用 SiC-MOSFET 的新型多級功率轉換器構想的博士學位論文。Sebastian 于2019年加入 Nexperia（安世半導體）的產品應用工程師團隊，他的主要工作重點是為實現(xiàn)新電源產品提供支持，以強化 Nexperia（安世半導體）的功率產品組合。
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