【導(dǎo)讀】如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。
如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。
（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b））
（2）通過施加VDS，耗盡層在N層中擴展，但其在SJ-MOS中的擴展方式與在一般D-MOS中不同。（關(guān)于電場強度，參見圖3-9（a）／（b）。電場強度將表示耗盡層的狀態(tài)。
（3）如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。
（4）所以，SJ-MOS可采用具有較低電阻的N層設(shè)計，以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。
采用與DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。
圖3-9（a）D-MOS（π-MOS）的結(jié)構(gòu)和電場
圖3-9（b）SJ-MOS（DTMOS）的結(jié)構(gòu)和電場
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請電話或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進行侵刪。
推薦閱讀：
如何以經(jīng)濟實惠的方式將 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自動化工廠
如何使用 TI 毫米波占位傳感器設(shè)計高能效的智能空調(diào)
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？
