【導讀】由于電荷存儲效應，晶體管BE之間有一接電容，與Rb構成RC電路，時間常數較大影響了晶體管的導通和截至速度（即開關速度）
開關三極管，加速電容的分析！
1、由于電荷存儲效應，晶體管BE之間有一接電容，與Rb構成RC電路，時間常數較大影響了晶體管的導通和截至速度（即開關速度）。
2、加速電容作用。
（1) 控制脈沖低電平時，電路達到穩態時，晶體管截至，電容兩端電壓為零。
（2） 控制脈沖高電平到來時，由于電容電壓不能突變，電容需繼續保持零，這樣，晶體管基極B電壓突變到高電平，使晶體管迅速導通；電容被充電到脈沖電平電壓；進入到穩態，電容電壓為脈沖電平電壓。
（3） 此后，當控制脈沖低電平到來時，由于電容電壓不能突變，需繼續保持脈沖電平電壓，因此，基極電壓從零（實際為be壓降)跳變到負的脈沖電平電壓，時得晶體管迅速從飽和狀態轉到截至狀態；此后，電容通過R放電，達到穩態時，兩端電壓為零。
（4）然后，重復以上過程。
1．典型的加速電容電路 T491D475M050AT 圖2所示是脈沖放大器（一種放大脈沖信號的放大器）中的加速電容電路。
電路中的VT1是三極管，是脈沖放大管，Cl并聯在Rl上，Cl是加速電容。Cl的作用是加快VT1導通和截止的轉換速度，所以稱為加速電容。
2．電路工作原理分析
電路中的三極管VT1工作在開關狀態下（相當于一個開關），Ui為加到三極管VT1基極的輸入信號電壓，是一個矩形脈沖信號。當U為高電平時，三極管VT1飽和導通；當Ui為低電平時，三極管VT1截止。
加速電容Cl與三極管VT1輸入電阻Ri構成如圖3(a)所示的等效電路。
(1)加速導通過程。當輸入信號電壓Ui從OV跳變到高電平時，由于電容Cl兩端的電壓不能突變，加到VT1基極的電壓為一個尖頂脈沖，其電壓幅值最大，如圖3 (b)所示。這一尖頂脈沖加到VT1基極，使VT1基極電流迅速從OA增大到很大，這樣VT1迅速從截止狀態進入飽和狀態，加速了VT1的飽和導通，即縮短了VT1飽和導通時間（三極管從截止進入飽和所需要的時間）。
(2)維持導通過程。在t0之后，對Cl的充電很快結束，這時輸入信號電壓Ui加到VT1基極的電壓比較小，維持VT1的飽和導通狀態。
(3)加速截止過程；當輸入信號電壓U從高電平突然跳變到OV時，如圖3(b)所示的tl時刻，由于Cl上原先充到的電壓極性為左正右負，加到VT1基極的電壓為負尖頂脈沖。由于加到VT1基極的電壓為負，加快了VT1從基區抽出電荷的過程，VT1以更快的速度從飽和轉換到截止狀態，即縮短了VT1向截止轉換的時間。
由于接入電容Cl，VT1以更快的速度進入飽和狀態，同樣也是以更快的速度進入截止狀態，可見電容Cl具有加速VT1工作狀轉換的作用，所以將Cl稱為加速電容。
