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具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。
2022-06-21
穩定性 CoolSiC MOSFET
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安森美向前推進可持續發展
2022年6月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，發布其年度可持續發展報告，前稱企業社會責任（CSR）報告。為了持續努力保持我們對投資者、客戶、利益相關者和員工的透明度，該報告根據全球報告倡議組織（GRI）、氣候相關的財務披露工作組（TCFD）和可持...
2022-06-20
安森美 可持續發展
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Digi-Key在2022年EDS領導力峰會上被供應商授予了25項大獎
全球供應品類豐富、發貨快速的現貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯維加斯舉行的 2022 EDS 領導力峰會上獲得了供應商授予的 25 項大獎。這是對 Digi-Key 在過去一年中的銷售業績、客戶服務、產品廣度、數字存在等方面成績的認可。
2022-06-20
Digi-Key EDS領導力峰會
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面對電磁輻射干擾，如何輕松進行電子線路設計布局？
電磁環境包含輻射和傳導能量。EMC也包含輻射和敏感度兩方面。輻射是指產品不必要地產生電磁能量。為了打造一種具備電磁兼容性的環境，通常需要控制輻射。敏感度是一種用于衡量電子產品容忍其他電磁產品的輻射，或傳導電磁能量影響或其他電磁影響的能力指標。抗擾度與敏感度相反。敏感度高的設備抗擾...
2022-06-20
電磁干擾 電子線路 設計布局
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貿澤推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全設計的重要性
2022年6月17日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其備受好評的Empowering Innovation Together?計劃的新一期內容。在“實現更高安全性的設計”這一期，貿澤探討了在設計過程中的每個階段融入安全性的重要性，從架構選擇和組件挑...
2022-06-17
貿澤電子 安全設計
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凌華科技發布AES-100 邊緣智能服務器
中國上海 – 2022年6月16日，全球領先的邊緣計算解決方案提供商—凌華科技推出基于華為Ascend Atlas200的全新邊緣智能服務器AES-100，突破固有服務器的設計理念，采用分布式AI節點加彈性靈活的處理器設計方案，可在緊湊的1U空間內布置多路邊緣處理單元，也可以根據場景和需求不同搭配不同的CPU模塊，...
2022-06-16
凌華科技 AES-100 服務器
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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適合工業應用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設之間的短距離電路板內連接，串行外設接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標準。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執行器和數據轉換器制造商廣泛采用。當控制器和外設位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠（不大于1米）時...
2022-06-14
工業應用 SPI ADI
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手機無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸，觀察其內部電路工藝設計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機 無線充電器
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